| 主权项 |
1.一种铜电镀液配方,适用于半导体制程的铜电镀技术中,其中该配方包括:一铜离子源;复数种电解质;以及一添加剂,其特征为该添加剂包括(NH2OH)2H2SO4且浓度小于10g/L。2.如申请专利范围第1项所述之铜电镀液配方,其中该配方更包括一界面活性剂。3.如申请专利范围第1项所述之铜电镀液配方,其中该铜离子源包括CuSO45H2O。4.如申请专利范围第3项所述之铜电镀液配方,其中该铜离子源的浓度为60至150g/L之间。5.如申请专利范围第1项所述之铜电镀液配方,其中该复数种电解质包括硫酸及氯离子。6.如申请专利范围第5项所述之铜电镀液配方,其中硫酸的浓度为80至150mL/L之间。7.如申请专利范围第5项所述之铜电镀液配方,其中该氯离子的浓度为50至150ppm之间。8.如申请专利范围第1项所述之铜电镀液配方,其中该界面活性剂包括PEG。9.如申请专利范围第8项所述之铜电镀液配方,其中该界面活性剂的浓度为50至200ppm之间。10.如申请专利范围第1项所述之铜电镀液配方,其中该添加剂的浓度为0.01至5g/L之间。图式简单说明:第1A图至第1C图绘示使用本发明所提供之铜电镀液进行铜电镀的示意图。 |
