发明名称 陶瓷多层基板之制造方法及未烧结之复合积层体
摘要 本发明之陶瓷多层基板之制造方法系:首先,以第一、第二收缩抑制层14a、14b包夹未烧制之多层集合基板13,来制作未烧制之复合积层体11;而该第一、第二收缩抑制层14a、14b系以氧化铝粉末为主者;而该未烧制之多层集合基板13系以低温烧结性之玻璃陶瓷粉末为主者。接着,设置切槽16,其系在未烧制之复合积层体11之一边主面11a上,贯通一边之第一收缩抑制层14a及未烧制之多层集合基板13,而其深度达到他边之收缩抑制层14b,但不达到未烧制之复合积层体11之他边主面11b。接着,在低温烧结性之玻璃陶瓷粉末的烧结条件下,把设有切槽16之未烧制之复合积层体11进行烧制,接着把处于未烧结状态之收缩抑制层14a、14b除去,然后把多个陶瓷多层基板取出。如此除了可获得尺寸精确度高的陶瓷多层基板外,且在分割多层集合基板,取出多个陶瓷多层基板之际,不易发生分割不良现象。
申请公布号 TW577252 申请公布日期 2004.02.21
申请号 TW092103080 申请日期 2003.02.14
申请人 村田制作所股份有限公司 发明人 川上弘伦;斋藤善史
分类号 H05K3/46 主分类号 H05K3/46
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种陶瓷多层基板之制造方法,其系具备:未烧制之复合积层体之制作工序,其系用于制作未烧制之复合积层体者;而该未烧制之复合积层体系在未烧制之多层集合基板之上下两主面上具有第一及第二收缩抑制层者;而该未烧制之多层集合基板系把含有陶瓷粉末为主要成份之多个陶瓷未熟化处理层进行叠层而成者;而该第一及第二收缩抑制层系含有难烧结性粉末为主要成份者;而该难烧结性粉末系以前述陶瓷粉末之烧结温度实质上难以烧结者;切槽设置工序,该切槽系在前述未烧制之复合积层体中,从前述第一收缩抑制层侧,贯通前述第一收缩抑制层及前述未烧制之多层集合基板,而到达前述第二收缩抑制层者;已烧结之多层集合体之获得工序,其系用于把设有前述切槽之未烧制之复合积层体,在前述陶瓷粉末虽可烧结但前述难烧结性粉末实质上无法烧结的条件下,进行烧制,并使之被前述第一、第二收缩抑制层所包夹;第一、第二收缩抑制层除去工序,其系用于从前述烧结后之多层集合基板,把实质上未烧结之第一、第二收缩抑制层除去者;及陶瓷多层基板之取出工序,其系用于从前述烧结后多层集合基板,沿着前述切槽把被分割之多个陶瓷多层基板取出者。2.如申请专利范围第1项之陶瓷多层基板之制造方法,其中前述切槽系排列成纵向与横向相互约略呈直交状者。3.如申请专利范围第1项之陶瓷多层基板之制造方法,其中前述陶瓷未熟化处理薄片层更包含玻璃粉末及结晶化玻璃粉末中之至少一种。4.如申请专利范围第1项之陶瓷多层基板之制造方法,其中在制作前述未烧制之复合积层体之后及设置前述切槽之前,具备压着工序,其系用于把前述未烧制之复合积层体往其叠层方向进行压着者。5.一种未烧制之复合积层体,其系具备:未烧制之多层集合基板,其系把含有陶瓷粉末为主要成份之多个陶瓷未熟化处理层进行叠层而成者;第一及第二收缩抑制层,其系设置于前述未烧制之多层集合基板之上下两主面上,且系含有难烧结性粉末为主要成份者;而该难烧结性粉末系以前述陶瓷粉末之烧结温度实质上难以烧结者;及切槽,其系从前述第一收缩抑制层侧,贯通前述第一收缩抑制层及前述未烧制之多层集合基板,而到达前述第二收缩抑制层者。图式简单说明:图1系用于说明本发明之一实施型态者,其系在制造陶瓷多层基板途中阶段所获得之大面积之复合积层体之一部份的剖面图。图2系在图1之大面积之复合积层体上之分割线的排列平面图。图3系用于说明先前例者,其系在制造陶瓷多层基板途中阶段所获得之大面积之复合积层体之一部份的剖面图。
地址 日本
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