| 主权项 |
1.一种涂覆基板,包括: 一基板; 在该基板上的防反光组成物层,该防反光组成物层 含有离子热酸生成剂和树脂;以及 在该防反光组成物层上的光致抗蚀剂层。2.如申 请专利范围第1项之基板,其中,该防反光组成物层 复包括交联剂成分。3.如申请专利范围第1项之基 板,其中,在涂覆该光致抗蚀剂层前,该防反光组成 物系经交联的。4.如申请专利范围第1项之基板,其 中,该热酸生成剂为磺酸盐。5.如申请专利范围第4 项之基板,其中,该磺酸盐包括含有一个或多个胺 基的抗衡离子。6.如申请专利范围第1项之基板,其 中,该热酸生成剂包括含有氮的阳离子成分。7.如 申请专利范围第6项之基板,其中,该热酸生成剂所 包括的阳离子成分为胺。8.如申请专利范围第6项 之基板,其中,该热酸生成剂所包括的阳离子成分 为一级、二级或三级脂族胺。9.如申请专利范围 第1至8项中任一项之基板,其中,该热酸生成剂具有 范围自100至500的分子量。10.如申请专利范围第1至 8项中任一项之基板,其中,该热酸生成剂为聚合材 料。11.如申请专利范围第1至8项中任一项之基板, 其中,该防反光组成物包括由酸交联的交联剂。12. 如申请专利范围第1至8项中任一项之基板,其中,该 防反光组成物包括与热酸生成剂不同的树脂。13. 如申请专利范围第1至8项中任一项之基板,其中,该 防反光层包括芳香族基团。14.如申请专利范围第1 至8项中任一项之基板,其中,该防反光层包括基 、伸基或苯基。15.如申请专利范围第1至8项中 任一项之基板,其中,该防反光组成物层包括具有 苯基的树脂。16.如申请专利范围第1至8项中任一 项之基板,其中,该防反光组成物层包括具有基 的树脂。17.如申请专利范围第1至8项中任一项之 基板,其中,该防反光组成物层包括具有基的树 脂。18.如申请专利范围第1至8项中任一项之基板, 其中,该光致抗蚀剂为化学扩增的正型光致抗蚀剂 组成物。19.如申请专利范围第1至8项中任一项之 基板,其中,该光致抗蚀剂包括含有光酸不稳定缩 醛基的树脂。20.如申请专利范围第1至8项中任一 项之基板,其中,该光致抗蚀剂包括含有光酸不稳 定酯基的树脂。21.一种包括离子热酸生成剂化合 物的防反光组成物。22.如申请专利范围第21项之 防反光组成物,其中,该热酸生成剂为磺酸盐。23. 如申请专利范围第21项之防反光组成物,其中,该热 酸生成剂为芳基磺酸盐。24.如申请专利范围第21 项之防反光组成物,其中,该热酸生成剂为具有一 个或多个视需要经取代的苯基、视需要经取代的 基或视需要经取代的基之取代基的磺酸盐。 25.如申请专利范围第22至24项中任一项之防反光组 成物,其中,该磺酸盐为胺盐。26.如申请专利范围 第21至24项中任一项之防反光组成物其中,该热酸 生成剂化合物包括含有氮的阳离子成分。27.如申 请专利范围第21至24项中任一项之防反光组成物, 其中,该热酸生成剂为三(C1-C12烷基)铵盐。28.一种 形成光致抗蚀剂浮雕影像的方法,包括以下步骤: 将申请专利范围第21至27项中任一项之防反光组成 物涂覆到基板上; 将光致抗蚀剂层涂覆到该防反光组成物层上;以及 使该光致抗蚀剂层曝光并显影,从而得到抗蚀剂的 浮雕影像。29.如申请专利范围第28项之方法,其中, 该防反光层在光致抗蚀剂层涂覆之前交联。30.如 申请专利范围第28项之方法,其中,该防反光层在光 致抗蚀剂层涂覆之前热固化。31.如申请专利范围 第28至30项中任一项之方法,其中,该光致抗蚀剂层 系以波长248nm的辐射曝光。32.如申请专利范围第28 至30项中任一项之方法,其中,该光致抗蚀剂层系以 波长193nm的辐射曝光。 |
