| 主权项 |
1.一种可在预设区域中形成一TFT及具凹部或突出 部之一反射电极之方法,该方法会藉由处理一第一 膜以形成至少一闸极电极及一闸极滙流排,该方法 包括的步骤如下: 形成该第一膜; 在该第一膜之上形成一感光膜; 对该感光膜进行图样处理,以保留该感光膜之一第 一部份、一第二部分及一第三部份,该第一部份相 当于该闸极电极,该第二部份相当于该闸极滙流排 ,而该第三部份则系该第一与第二部份以外的部分 ; 利用该第一、第二及第三部份作为光罩蚀刻该第 一膜;及 形成该反射电极,使得该反射电极至少有一部份系 位于该第一、第二及第三部份的至少该第三部份 之上。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该第三 部份包括复数个散布于该预设区域中的部分。3. 如申请专利范围第1项之方法,其中该第三部份包 括复数个散布于该预设区域中的孔。4.如申请专 利范围第1.2或3项之方法,其中该第二部分的边缘 具有弯曲的形状。5.一种液晶显示装置,其包括一 基板,于其上可在一预设区域中形成一TFT及具有凹 部或突出部之一反射电极,其中可利用如申请专利 范围第1至4项中任一项之方法形成该反射电极。6. 如申请专利范围第5项之液晶显示装置,其中该第 三部份系位于该反射电极下方,而该第一膜的材料 则系位于该第三部份下方。7.如申请专利范围第5 或6项之液晶显示装置,其中至少该闸极滙流排部 分的边缘,其系位于该反射电极下方,包括弯曲的 形状。8.一种可在其上一预设区域中形成一TFT及 具有凹部或突出部之一反射电极之基板,该基板包 括: 一第一膜,其经过图样处理之后会包括一第一部份 、一第二部分及一第三部份,该第一部份会形成该 TFT之一闸极电极,该第二部份会形成一闸极滙流排 ,该第三部份则系该第一与第二部份以外的部分, 并且至少该第三部份系形成于该预设区域中; 一感光膜,其位于配备该第一膜的基板上,该感光 膜经过图样处理之后会包括一第一感光部份、一 第二感光部分及一第三感光部份,该第一部份系以 该第一感光部分当作光罩并与其对准,该第二部份 系以该第二感光部分当作光罩并与其对准,而该第 三部份则系以该第三感光部分当作光罩并与其对 准; 一反射电极,其位于配备该感光膜的基板上,该反 射电极会覆盖该第一、第二及第三感光部份中的 至少该第三感光部份,以及与该第三感光部份相邻 的基板区域用以在预设区域形成具凹部或突出部 之一反射电极。9.一种包括如申请专利范围第8项 之基板之液晶显示装置,该基板包括: 一第一膜,其经过图样处理之后会包括一第一部份 、一第二部分及一第三部份,该第一部份会形成该 TFT之一闸极电极,该第二部份会形成一闸极滙流排 ,该第三部份则系该第一与第二部份以外的部分, 并且至少该第三部份系形成于该预设区域中; 一感光膜,其位于配备该第一膜的基板上,该感光 膜经过图样处理之后会包括一第一感光部份、一 第二感光部分及一第三感光部份,该第一部份系以 该第一感光部分当作光罩并与其对准,该第二部份 系以该第二感光部分当作光罩并与其对准,而该第 三部份则系以该第三感光部分当作光罩并与其对 准; 一反射电极,其位于配备该感光膜的基板上,该反 射电极会覆盖该第一、第二及第三感光部份中的 至少该第三感光部份,以及与该第三感光部份相邻 的基板区域用以在预设区域形成具凹部或突出部 之一反射电极。图式简单说明: 图1所示的系一TFT基板总成的平面图,其中TFT及反 射电极系根据本发明方法之具体实施例所形成的 。 图2所示的系沿着图1之直线I-I之该总成的剖面图 。 图3所示的系于该基板上形成一闸极绝缘膜6之后 的平面图。 图4所示的系沿着图3之直线II-II之该基板的剖面图 。 图5所示的系于该基板上形成该金属膜之后的剖面 图。 图6所示的系于该基板上形成该感光膜之后的剖面 图。 图7所示的系于图样处理该感光膜8之后的基板平 面图。 图8所示的系沿着图7之直线III-III之该基板的剖面 图。 图9所示的系于蚀刻该金属膜7之后的基板平面图 。 图10所示的系沿着图9之直线IV-IV之该基板的剖面 图。 图11所示的系于该基板上形成该感光膜之后的剖 面图。 图12所示的系于该基板上形成该反射电极膜10之后 的剖面图。 图13所示的系于该惯用的基板上形成TFT及反射电 极之后的剖面图。 图14所示的系其上的残留部分830具有网状图样的 基板平面图。 |
