| 主权项 |
1.一种在低压下处理半导体基体的垂直炉,包括:处 理室,处理室是由耐火材料的第一分隔器界定,石 英材料做成的第二分隔器同心地包住第一分隔器, 其中加热件被安排在第二分隔器外,耐火材料包住 加热件,第一分隔器包括碳化矽,被安排成可移动 且在顶部设有密封件,第一与第二分隔器在顶部分 别设有第一与第二喷嘴,以馈送气体分别进入第一 与第二分隔器,其中第一喷嘴是由耐火材料做成的 分离部份,第一喷嘴在第一端设有密封件,以密封 件密封在该第一分隔器的顶部,第一喷嘴之第二自 由端经由密封件被可移动地连接至第二分隔器的 顶部,其允许移动以配合第一与第二分隔器之间的 热膨胀差异,其中第一与第二分隔器之间的间隙相 对于处理室被密封,且第二分隔器相对于周围被真 空密封。2.如申请专利范围第1项所述之垂直炉,其 中,密封装置包括真空紧密填充箱密封件。3.如申 请专利范围第1项所述之垂直炉,其中,分开部分包 括石英材料。4.如申请专利范围第1项所述之垂直 炉,其中,分开部分与第一分隔器或炉的其他部分 的连接包括球及杯连接。5.如申请专利范围第1项 所述之垂直炉,其中,处理气入口连到第一喷嘴,冲 洗气入口连到第二喷嘴。6.如申请专利范围第1项 所述之垂直炉,包括碳化矽材料做的晶圆架。7.如 申请专利范围第1项所述之垂直炉,其中,有包括碳 化矽保护性管的绝缘塞被设在炉的底部。8.如申 请专利范围第1项所述之垂直炉,有热偶管被在炉 中,且伸过炉室的主要部分,管从底部被设在炉室 中并仅被固定在炉室底部中,炉室底部不属于真实 处理室。9.如申请专利范围第8项所述之垂直炉,其 中,热偶管有包含碳化矽的保护性管。10.一种在低 于2陶尔的压力的包括双壁分隔器的垂直炉中处理 半导体基体的方法,其特征是:处理气被导入第一 分隔器界定的处理室,且冲洗气被导入在第一、二 分隔器之间的空隙,炉有在低压下的供这些气体用 的出口。11.如申请专利范围第10项所述之方法,其 中,冲洗气的量是处理气的量的1/50以下。图式简 单说明: 图1是本发明的炉的第一实施例的剖面图。 图2是图1所示的连接管的另一实施例。 |
