| 主权项 |
1.一种光阻用树脂,其利用酸之作用而使酸分解性 官能基分解,且于硷性水溶液中之溶解度增大,于 主链上具有脂环族内脂构造,其中,该脂环族内脂 构造以一般式(1)表示; (于上式中,Z为具有内脂构造之脂环族羟基)。2.一 种光阻用树脂,其利用酸之作用而使酸分解性官能 基分解,且于硷性水溶液中之溶解度增大,于主链 上具有脂环族内脂构造,其中,该脂环族内脂构造 以一般式(2)表示; (于上式中,Z为具有内脂构造之脂环族羟基)。3.一 种光阻用树脂,其利用酸之作用而使酸分解性官能 基分解,且于硷性水溶液中之溶解度增大,于主链 上具有脂环族内脂构造,其中, 该脂环族内脂构造以一般式(3)表示; (于上式中,q为0或1~3之正整数,r为1或2)。4.一种光 阻用树脂,其利用酸之作用而使酸分解性官能基分 解,且于硷性水溶液中之溶解度增大,于主链上具 有脂环族内脂构造,其中, 该脂环族内脂构造以一般式(4)表示; (于上式中,R为碳数1~4之烷基,w为1~3之正整数)。5. 一种光阻用树脂,其利用酸之作用而使酸分解性官 能基分解,且于硷性水溶液中之溶解度增大,于主 链上具有脂环族内脂构造,其中, 该脂环族内脂构造以一般式(5)表示; (于上式中,Z为具有内脂构造之脂环族羟基,R1表示 氢原子或甲基,R2表示利用酸而分解之官能基,或是 利用酸而分解且具有碳数7~13桥形环式羟基之官能 基;另外,x、y分别满足x+y=1,0<x<1,0<y<1之任意数字)。 6.一种光阻用树脂,其利用酸之作用而使酸分解性 官能基分解,且于硷性水溶液中之溶解度增大,于 主链上具有脂环族内脂构造,其中, 该脂环族内脂构造以一般式(6)表示; (于上式中,Z为具有内脂构造之脂环族羟基,R3表示 氢原子或甲基,R4表示利用酸而分解之官能基;另外 ,a、b分别满足a+b=1,0<a<1,0<b<1之任意数字;另外,c为0 或1)。7.一种光阻用树脂,其利用酸之作用而使酸 分解性官能基分解,且于硷性水溶液中之溶解度增 大,于主链上具有脂环族内脂构造,其中, 该脂环族内脂构造以一般式(7)表示; (于上式中,k为0或1~3之正整数,m为0或1或2,n、f分别 为0或1,R5表示氢原子或甲基,R6表示利用酸而分解 之官能基;另外,d、e分别满足d+e=1,0<d<1,0<e<1之任意 数字)。8.一种光阻用树脂,其利用酸之作用而使酸 分解性官能基分解,且于硷性水溶液中之溶解度增 大,于主链上具有脂环族内脂构造,其中, 该脂环族内脂构造以一般式(8)表示; (于上式中,q为0或1~3之正整数,r为0或1或2,p为0或1( 但是,当r为0之时,p为1),R7表示氢原子或甲基,R8表示 利用酸而分解之官能基;另外,g、h分别满足g+h=1,0<g <1,0<h<1之任意数字)。9.一种光阻用树脂,其利用酸 之作用而使酸分解性官能基分解,且于硷性水溶液 中之溶解度增大,于主链上具有脂环族内脂构造, 其中, 该脂环族内脂构造以一般式(9)表示; (于上式中,R为碳数1~4之烷基,w为1~3之正整数,w1为0 或1,R10表示氢原子或甲基,R11表示利用酸而分解之 官能基;另外,x1.y1分别满足x1+y1=1,0<x1<1,0<y1<1之任意 数字)。10.一种正型化学放大型光阻,其至少含有 如申请专利范围第1至9项中任一项之光阻用树脂 与利用曝光而产生酸之光酸产生剂。11.一种图案 形成方法,其特征为包含: 将如申请专利范围第10项之化学放大型光阻,涂布 于被加工基板上之制程; 以180~220nm波长之光将该被加工基板予以曝光之制 程; 将该被加工基板予以烘烤之制程;及 将该被加工基板予以显影之制程。12.如申请专利 范围第11项之图案形成方法,其中,该曝光光线为ArF 准分子雷射光。 |
