| 摘要 |
<p>반도체 장치는 실리콘 기판(1)의 활성 영역에 접속된 제1 배선층(2) 상에 층간 절연막(6)을 통해 제2 배선층(7)을 형성하고, 제2 배선층(7) 상에 보호막(8) 및 폴리이미드막(10)을 통해 본딩 패드(14)를 실리콘 기판(1)의 활성 영역과 중첩되도록 배치하고 있다. 그리고, 본딩 패드(14)와 중첩되는 영역 내에 제2 배선층(7)의 복수의 배선(7a, 7b)을 배치하며, 1개의 배선(7a)을 보호막(8) 및 폴리이미드막(10)의 개구부(9, 11)를 통해 본딩 패드(14)와 접합하는 한편, 다른 배선(7b)과 본딩 패드(14) 사이에 보호막(8) 및 폴리이미드막(10)을 개재시키고 있다. 이에 따라, 반도체 기판의 활성 영역과 중첩되는 위치에 배치된 본딩 패드와 다층의 배선을 구비하는 반도체 장치에서, 제조 공정의 간략화와 장치 사이즈의 축소화를 양립시킬 수 있고, 또한 본딩 패드의 배치 위치 및 반도체 소자 사이의 결선의 자유도의 향상을 도모할 수 있는 반도체 장치 및 그 제조 방법을 제공한다.</p> |
