发明名称 BOBINE D'INDUCTION POUR CIRCUIT INTEGRE A SEMI-CONDUCTEUR ET PROCEDE DE FABRICATION DE CELLE-CI
摘要 <p><P>Une bobine d'induction (40) en spirale est formée sur une couche d'interconnexion supérieure (18) d'une couche d'interconnexion multicouche formée par un procédé damascène. Cette bobine d'induction (40) est formée en formant un motif dans une couche métallique de barrage sur un film isolant (17a), sur lequel une interconnexion supérieure (29) est formée, de telle sorte que la couche métallique de barrage touche l'interconnexion supérieure (29), puis en formant un film isolant de protection sur toute une surface de la couche métallique de barrage, en formant un orifice dans la partie du film isolant de protection qui se trouve sur la couche métallique de barrage, en formant un film de Cu épais, la couche métallique de barrage servant d'électrode de placage, et en effectuant une gravure humide du film de Cu.</P></p>
申请公布号 FR2843651(A1) 申请公布日期 2004.02.20
申请号 FR20030050225 申请日期 2003.06.17
申请人 NEC ELECTRONICS CORPORATION 发明人 YAMAMOTO RYOTA;FURUMIYA MASAYUKI;OHKUBO HIROAKI;NAKASHIBA YASUTAKA
分类号 H01L21/3213;H01L21/02;H01L21/768;H01L21/822;H01L23/522;H01L23/532;H01L27/04;H01L27/08;(IPC1-7):H01L21/02;H01F17/02;H01L23/64 主分类号 H01L21/3213
代理机构 代理人
主权项
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