发明名称 TWO BIT NON-VOLATILE ELECTRICALLY ERASABLE AND PROGRAMMABLE SEMICONDUCTOR MEMORY CELL UTILIZING ASYMMETRICAL CHARGE TRAPPING
摘要
申请公布号 IL157289(D0) 申请公布日期 2004.02.19
申请号 IL19980157289 申请日期 1998.08.02
申请人 RAMOT AT TEL-AVIV UNIVERSITY LTD. 发明人
分类号 G11C;(IPC1-7):G11C 主分类号 G11C
代理机构 代理人
主权项
地址