发明名称 Verfahren zum Testen eines Halbleiterspeichers mit mehreren Speicherbänken
摘要 Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Testen eines Halbleiterspeichers (10) mit mehreren Speicherbänken (A, B, C, D), bei dem testweise Informationen (0; 1) in Speicheradressen (adr1, adr2, adr3, adr4) geschrieben und/oder aus den Speicheradressen (adr1, adr2, adr3, adr4) ausgelesen werden. Erfindungsgemäß wird ein Verfahren bereitgestellt, das ein speicherbankparalleles Ansteuern dieser Speicheradressen mit einem Interleaved-Modus, der in Bezug auf disjunkte Teilbereiche (A1, A2, A3, A4; B1, ..., D4) der Speicherbänke (A; B; C; D) durchgeführt wird, miteinander verknüpft. Dadurch wird die zum Testen des Halbleiterspeichers (10) benötigte Testzeit verkürzt.
申请公布号 DE10234944(A1) 申请公布日期 2004.02.19
申请号 DE20021034944 申请日期 2002.07.31
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 BOLDT, SVEN
分类号 G11C29/26;(IPC1-7):G11C29/00 主分类号 G11C29/26
代理机构 代理人
主权项
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