| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 半导体器件包括：第一导电型半导体衬底(101)；形成在所述半导体衬底(101)内的表面上的第二导电型源极层(102)；形成在所述半导体衬底(101)的所述表面上，与所述源极层(102)具有给定间隔，与所述源极层(102)相对的第二导电型的漏极层(103)；形成在所述半导体衬底(101)上的栅绝缘膜(104)；形成在所述源极层(102)和所述漏极层(103)之间的所述栅绝缘膜(104)上的栅极层(105)；形成在所述半导体衬底(101)上，并且与所述源极层(102)电连接的源极(108)；形成在所述半导体衬底(101)上，并且与所述漏极层(103)电连接的漏极(109)；形成在所述半导体衬底(101)上，并且与所述栅极层(105)电连接的栅极107；形成在所述栅绝缘膜(104)上的电容调整用电极(114)。 | ||
| 申请公布号 | CN1476639A | 申请公布日期 | 2004.02.18 |
| 申请号 | CN01819251.3 | 申请日期 | 2001.10.24 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 菊池浩二 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/8234;H01L27/088;H01L27/06;H01L27/04;H01L21/822 | 主分类号 | H01L29/78 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，其特征在于：包括：具有第一主面和与该第一主面相对的第二主面的第一导电型半导体衬底；形成在所述半导体衬底的所述第一主面一侧的所述半导体衬底内的表面上的第二导电型源极层；形成在所述半导体衬底的所述第一主面一侧的所述半导体衬底内的表面上，与所述源极层具有给定间隔，与所述源极层相对的第二导电型的漏极层；形成在所述半导体衬底的所述第一主面上的栅绝缘膜；形成在所述源极层和所述漏极层之间的所述栅绝缘膜上的栅极层；形成在所述半导体衬底的所述第一主面上，并且与所述源极层电连接的源极；形成在所述半导体衬底的所述第一主面上，并且与所述漏极层电连接的漏极；形成在所述半导体衬底的所述第一主面上，并且与所述栅极层电连接的栅极；形成在所述栅绝缘膜上的电容调整用电极。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||