| 发明名称 | 形成半导体器件的字线的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种形成半导体器件的字线的方法，其中沟道区上的字线的下部是I型，而字线的上部是线型。该方法包括：(a)在包括有源区的半导体衬底上形成牺牲绝缘膜；(b)蚀刻牺牲绝缘膜，在要形成沟道区的位置之上形成I型牺牲绝缘膜图案；(c)形成源极/漏极区；(d)形成第一层间绝缘薄膜；(e)平坦化第一层间绝缘膜以暴露牺牲绝缘膜图案；(f)顺序形成绝缘膜和第二层间绝缘膜；(g)使用字线掩模蚀刻第二层间绝缘膜和绝缘膜；(h)去除牺牲绝缘膜图案；(i)生长栅氧化膜；(j)形成导电层；以及(k)平坦化导电层。 | ||
| 申请公布号 | CN1476078A | 申请公布日期 | 2004.02.18 |
| 申请号 | CN03178607.3 | 申请日期 | 2003.06.30 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 李元畅 |
| 分类号 | H01L21/768;H01L21/311;H01L21/3105 | 主分类号 | H01L21/768 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
| 主权项 | 1.一种形成半导体器件的字线的方法，包括步骤：(a)在包括限定有源区的器件隔离膜的半导体衬底上形成牺牲绝缘膜；(b)选择性蚀刻牺牲绝缘膜，以在有源区的将形成沟道区的预定区域上形成I型牺牲绝缘膜图案；(c)在牺牲绝缘膜图案两侧的半导体衬底上形成源极/漏极区；(d)在整个表面上形成第一层间绝缘膜；(e)平坦化第一层间绝缘膜以暴露牺牲绝缘膜图案的顶面；(f)在整个表面上顺序形成绝缘膜和第二层间绝缘膜；(g)使用字线掩模蚀刻第二层间绝缘膜和绝缘膜；(h)去除牺牲绝缘膜图案以暴露半导体衬底；(i)在半导体衬底的暴露部分上生长栅氧化膜；(j)在整个表面上形成导电层；以及(k)平坦化导电层以暴露第二层间绝缘膜。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||