发明名称 |
饱和电抗器磁芯,多输出开关调节器及带有它的计算机 |
摘要 |
一种饱和电抗器的磁芯,由Fe基软磁合金制成,该合金的基本合金元素包括Fe、Cu和M,M选自Nb,W,Ta,Zr,Hf,Ti和Mo中的至少一种,合金的至少50%的面积比为平均粒径100nm以下的细晶粒。磁芯控制磁化特性为:0.12T以下剩余有效磁通密度ΔBb;2.0T以上总控制有效磁通密度ΔBr;和0.10-0.20T/(A//m)的总控制增益Gr,Gr=0.8×(ΔBr-ΔBb)/HR,Hr是对应于0.8×(ΔBr-ΔBb)+ΔBb的总控制磁化力。 |
申请公布号 |
CN1139084C |
申请公布日期 |
2004.02.18 |
申请号 |
CN98124529.3 |
申请日期 |
1998.09.26 |
申请人 |
日立金属株式会社;日立铁氧体电子株式会社 |
发明人 |
中岛晋;三木裕彦;洼田定见;坂口睦仁 |
分类号 |
H01F27/24;H03F9/00;G06F1/00 |
主分类号 |
H01F27/24 |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
李晓舒 |
主权项 |
1.一种用于饱和电抗器中的磁芯,其由Fe基软磁合金制成,该合金 的基本合金元素包括Fe、Cu、Si、B和M,其中M是选自由Nb,W,Ta,Zr, Hf,Ti和Mo组成的组中的至少一种元素,并且合金结构面积比的至少50% 为具有平均粒径100nm或以下的精细结晶颗粒,其特征在于,在磁芯温度 为25℃下使用具有0.5占空比的50kHz单极矩形电压进行测量时,所述磁 芯具有的控制磁化特性为: 0.12T或以下的剩余有效磁通密度ΔBb; 2.0T或以上的总控制有效磁通密度ΔBr;和 0.10-0.20T/(A/m)的总控制增益Gr,其是通过以下等式所计算的: Gr=0.8×(ΔBr-ΔBb)/Hr 其中Hr是总控制磁化力,其定义为对应于0.8×(ΔBr-ΔBb)+ΔBb的控 制磁化力。 |
地址 |
日本东京 |