| 发明名称 | 制造半导体设备的方法和形成图案的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种制造半导体设备的方法，包括在基材上形成用于图案形成的层压膜的步骤，其中用于图案形成的层压膜包括最内层，内层和表面层，最内层的消光系数k是0.3或更大，和内层的消光系数k是0.12或更大。本发明还提供了一种形成图案的方法，包括在基材上形成用于图案形成的层压膜的步骤，其中用于图案形成的层压膜包括最内层，内层和表面层，最内层的消光系数k是0.3或更大，和内层的消光系数k是0.12或更大。 | ||
| 申请公布号 | CN1476054A | 申请公布日期 | 2004.02.18 |
| 申请号 | CN03148491.3 | 申请日期 | 2003.06.27 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 乙黒昭彦;武智敏;出口贵敏 |
| 分类号 | H01L21/027;G03F7/00 | 主分类号 | H01L21/027 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 刘明海 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体设备的方法，包括在基材上形成用于图案形成的层压膜的步骤，其中用于图案形成的层压膜包括最内层，内层和表面层，最内层的消光系数k是0.3或更大，和内层的消光系数k是0.12或更大。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||