发明名称 制备片状颗粒卤化银乳剂的方法
摘要 一种制备高溴片状颗粒乳剂的方法,该乳剂包括一分散介质和含具有{111}主面并且纵横比至少为2的片状颗粒的卤化银颗粒,其含有大于50摩尔%的溴化物并占颗粒总投影面积的50%以上,平均纵横比至少为5。该方法包括(i)于分散介质中建立含平行孪晶面的片状卤化银颗粒晶核和(ii)于卤化银反应容器中使片状颗粒晶核不断生成片状颗粒;其中在加入总银离子的最后10摩尔%以前加入最多为0.4摩尔%硫氰酸根离子。使用硫氰酸盐的结果是增加了纵横比而没有降低形态学纯度。
申请公布号 CN1475858A 申请公布日期 2004.02.18
申请号 CN03149567.2 申请日期 2003.07.11
申请人 伊斯曼柯达公司 发明人 R·L·道本迪克;J·N·埃肯贝里;B·J·菲舍尔;T·R·格尔西;J·G·赖特豪斯;D·L·厄尔贝克
分类号 G03C1/015;G03C1/035;G03C7/26 主分类号 G03C1/015
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 卢新华;王其灏
主权项 1.一种制备高溴片状颗粒乳剂的方法,该乳剂包括一分散介质和合具有{111}主面并且纵横比至少为2的片状颗粒的卤化银颗粒,这种乳剂基于银计算,含有大于50摩尔%的溴化物,并占颗粒总投影面积的50%以上,这种片状颗粒的平均纵横比至少为5,该方法包括:(i)颗粒的晶核形成步骤,于分散介质中,建立含平行孪晶面的片状卤化银颗粒晶核;(ii)颗粒的生长步骤,于卤化银反应容器中,使片状颗粒晶核不断生成片状颗粒,所述方法是在反应容器中加入银离子源和卤离子源,将卤化银沉淀在片状颗粒晶核上;其中在向反应容器加入总银离子的最后至少10摩尔%以前,在卤化银反应容器中加入硫氰酸根离子,并且加入的硫氰酸根离子的浓度最多为0.4摩尔%,基于在反应容器中加入的总银计算。
地址 美国纽约州