发明名称 |
半导体装置和通信系统用机器 |
摘要 |
本发明缓和高耐压和低电阻的折衷,提供低耗电、高耐压半导体装置,及用这种装置的通信系统用机器。其解决方法为,HEMT,包括InP基板(201)上的,由InAlAs层(202)、InGaAs层(203)、n型掺杂层(204a)、及无掺杂层(204b)相互交错沉积而成的多重δ掺杂InAlAs层(204)、InP层(205)、肖特基栅电极(210)、源电极(209a)及漏电极(209b)。电流流过InGaAs层(203)内的多重δ掺杂InAlAs层(204)的界面附近区域(沟道区域)时,对于通过载流子供应层的多重δ掺杂InAlAs层(204)的载波移动电阻会降低,且可以提高非接通时的耐压。 |
申请公布号 |
CN1476638A |
申请公布日期 |
2004.02.18 |
申请号 |
CN01819415.X |
申请日期 |
2001.11.21 |
申请人 |
松下电器产业株式会社 |
发明人 |
横川俊哉;铃木朝实良;出口正洋;吉井重雄;古屋博之 |
分类号 |
H01L29/778;H04M1/00 |
主分类号 |
H01L29/778 |
代理机构 |
北京纪凯知识产权代理有限公司 |
代理人 |
龙淳 |
主权项 |
1.一种半导体装置,其特征为:包含有设置在基板上的,由第1半导体制成的至少一个第1活性区域;由与上述第1活性区域连接设置,并使它与上述第1活性区域之间产生频带不连续的,且与上述第1半导体具有不同频带间隙的第2半导体构成的至少一个第2活性区域;上述第2活性区域的构成,是可能通过载流子的至少1个第1半导体层;与含有比上述第1半导体层更高浓度的载流子用杂质的,膜厚比上述第1半导体层更薄,可以利用量子效果向上述第1半导体层渗入载流子的至少1个第2半导体层连接设置而成。 |
地址 |
日本大阪府 |