发明名称 | 计算实际增加的缺陷数目的方法 | ||
摘要 | 本发明提供一种计算增加的缺陷数目的方法,用以监控反应室或晶片的品质。首先,以图像重迭的技术以及将对应率和捕获率的总和最大化而确定出适当的沉积工艺前灵敏度。其次,以适当的灵敏度扫描沉积前的晶片,并记录下沉积前粒子数目P1。第三,在晶片上进行膜层的沉积。第四,以沉积后灵敏度中最灵敏的等级再次扫描晶片,并记录下沉积后粒子数目P2。最后,将沉积后粒子数目P2减去沉积前粒子数目P1。 | ||
申请公布号 | CN1476069A | 申请公布日期 | 2004.02.18 |
申请号 | CN03120456.2 | 申请日期 | 2003.03.18 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 陈威铭;刘坤佑;陈俊结;何濂泽 |
分类号 | H01L21/66;H01L21/20 | 主分类号 | H01L21/66 |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
主权项 | 1.一种利用在工艺前选择一灵敏度以更精确地计算在工艺期间增加粒子的方法,此方法包括下列步骤:在工艺前计算多个相对灵敏度下的粒子数;在工艺后计算一特定灵敏度下的粒子数;找出在各自灵敏度下工艺前和工艺后均出现的对应粒子数;计算在各自灵敏度下的各自对应率和各自捕获率,其中,该对应率为一灵敏度下的对应粒子数除以工艺前的粒子数,且该捕获率为一灵敏度下的对应粒子数除以所有对应粒子数的最大值;以及选择该灵敏度,该灵敏度为具有最大总和的该对应率和该捕获率。 | ||
地址 | 台湾省新竹科学工业园区 |