| 发明名称 | 使用电子束辐照固化旋涂玻璃膜的方法 | ||
| 摘要 | 这里介绍了一种电子束暴露方法，提供了一种固化形成在半导体晶片(27)上的旋涂玻璃(28)的装置，在制造多层集成电路的工艺中可隔离导电金属材料并平面化形貌。该方法使用了在低真空环境中的大面积、均匀的电子束暴露系统，包括阴极(22)、阳极(26)和电源(29，30)。涂敷有未固化的硅氧烷旋涂玻璃(28)的晶片(27)用具有足能穿过旋涂玻璃的整个厚度的能量的电子辐照，同时用红外加热器加热。晶片(27)暴露给预定剂量的电子(44)，同时在低真空环境中升高峰值温度。然后关掉电子束和红外加热器，在从真空室中移出之前，冷却衬底或晶片(27)。 | ||
| 申请公布号 | CN1139107C | 申请公布日期 | 2004.02.18 |
| 申请号 | CN96195125.7 | 申请日期 | 1996.05.08 |
| 申请人 | 联合讯号公司 | 发明人 | W·R·利维沙;M·F·罗斯;A·L·鲁比尔勒斯 |
| 分类号 | H01L21/316 | 主分类号 | H01L21/316 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 邹光新;萧掬昌 |
| 主权项 | 1.一种在半导体衬底上固化旋涂玻璃材料的方法，包括以下步骤：在真空室中在半导体衬底上放置或留下硅氧网聚合物层；用大面积的电子束辐照硅氧网聚合物，以对硅氧网聚合物层的整个表面进行均匀的曝光，并有足够的能量穿过硅氧网聚合物层的整个厚度；以及继续辐照步骤以达到足以固化硅氧网聚合物层的剂量水平；同时加热硅氧网聚合物层，但将该硅氧网聚合物层保持在低温；因而没有龟裂或其它损伤地固化硅氧网聚合物层。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||