| 发明名称 | 磁性隧道结器件及存储器阵列 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种磁性隧道结器件及存储器阵列，该阵列包括该磁性隧道结器件。该磁性隧道结器件包括被一阻挡层分隔的一自由层和一钉扎层。根据本发明，自由层包括一亚铁磁层和一反平行层，至少在磁性隧道结器件的预定温度范围内，反平行层的磁矩大致与亚铁磁层的磁矩反平行。 | ||
| 申请公布号 | CN1476109A | 申请公布日期 | 2004.02.18 |
| 申请号 | CN03148782.3 | 申请日期 | 2003.06.26 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 戴维·W·亚伯拉罕;菲利普·L·特鲁伊劳德 |
| 分类号 | H01L43/00;H01L45/00;G11C11/15;G11C11/18 | 主分类号 | H01L43/00 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种磁性隧道结器件，包括一自由层和一钉扎层，所述自由层和所述钉扎层被一阻挡层分隔，其特征在于，所述自由层包括：一亚铁磁层，其包括一亚铁磁性材料；以及一反平行层，紧邻亚铁磁层，至少在该磁性隧道结器件的一预定温度范围内，反平行层的磁矩大致与亚铁磁层的磁矩反平行。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||