发明名称 一种由聚有机硅倍半氧烷制备无裂缝陶瓷的方法
摘要 本发明公开了一种由聚有机硅倍半氧烷制备无裂缝陶瓷的方法,以重量份计,按如下顺序步骤进行:a.在聚有机硅倍半氧烷100份中,加入碱金属氧化物0.5~15份,碱土金属氧化物0.5~15份,氧化铝0~15份,氧化硼0~20份,硼砂0~25份,惰性溶剂5~100份,搅拌均匀;b.研磨到粒径0.1~50微米,除去溶剂,加热加压成型得到坯料;c.将坯料在450~750℃下加热1~8小时,使聚合物发生热解;d.将经热解处理的坯料在600~1200℃下烧结1~16小时即可。本发明方法特别适用于耐腐蚀、耐氧化、耐高温无裂缝和无针眼表面保护层的生成和由聚合物前驱体陶瓷化转变来制备较大尺寸的制品。
申请公布号 CN1475458A 申请公布日期 2004.02.18
申请号 CN02130569.2 申请日期 2002.08.16
申请人 中国科学院化学研究所 发明人 黎白钰;徐坚;马军
分类号 C04B35/622;C04B35/634 主分类号 C04B35/622
代理机构 代理人
主权项 1.一种由聚有机硅倍半氧烷制备无裂缝陶瓷的方法,以重量份计,按如下顺序步骤进行:a.在聚有机硅倍半氧烷100份中,加入碱金属氧化物0.5~15份,碱土金属氧化物0.5~15份,氧化铝0~15份,氧化硼0~20份,硼砂0~25份,惰性溶剂5~100份,搅拌均匀;b.在球磨机中研磨到粒径0.1~50微米,然后除去溶剂,得到粉状物,将此粉状物加入模具,经加热加压成型得到坯料;c.将坯料在450~750℃下加热1~8小时,使聚合物发生热解;d.将经热解处理的坯料在600~1200℃下烧结1~16小时。
地址 100080北京市海淀区中关村北一街2号
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