| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件包括至少部分包括含氟膜并且形成在半导体衬底上面的绝缘膜，和形成在绝缘膜上面的氮化钛膜。上述的钛膜作为阻挡金属膜，用于阻挡氟(F)原子的扩散。 | ||
| 申请公布号 | CN1139111C | 申请公布日期 | 2004.02.18 |
| 申请号 | CN98119996.8 | 申请日期 | 1998.08.22 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 小柳贤一;藤井邦宏;宇佐美达矢;岸本光司 |
| 分类号 | H01L21/768;H01L21/31;H01L21/3205;H01L21/28 | 主分类号 | H01L21/768 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 陈景峻;张志醒 |
| 主权项 | 1、一种半导体器件，它包括至少部分含有氟膜的形成在上述半导体衬底上面的绝缘膜，包括在绝缘膜上面形成的氮化钛膜。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县川崎市 | ||