| 发明名称 | 晶化设备、用于晶化设备的光学部件、晶化方法、薄膜晶体管和显示器 | ||
| 摘要 | 一种晶化设备，包括照射移相掩模(1)的发光光学系统(2)，其用具有反转峰型强度分布的光束照射非晶半导体膜(4)以产生结晶半导体膜，反转峰型强度分布在相应于移相掩模(1)的移相部分的点具有最小的光强。会聚/发散元件(3)设置在发光光学系统(2)和移相掩模(1)之间的光径上。会聚/发散元件(3)把自发光光学系统(2)提供的光束转换为具有向上凹入强度分布的光束以照射移相掩模(1)，其中在移相部分光强最低并且随着远离移相部分光强增加。 | ||
| 申请公布号 | CN1476059A | 申请公布日期 | 2004.02.18 |
| 申请号 | CN03147124.2 | 申请日期 | 2003.06.27 |
| 申请人 | 株式会社液晶先端技术开发中心 | 发明人 | 谷口幸夫;松村正清;山口弘高;西谷干彦;辻川晋;木村嘉伸;十文字正之 |
| 分类号 | H01L21/324;H01L21/20;H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/324 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 蹇炜 |
| 主权项 | 1.一种晶化设备，其特征在于包括：发光光学系统(2)，其向未晶化半导体膜(4)发射具有均匀强度分布的光束，以致用该光束照射未晶化半导体膜(4)以晶化未晶化半导体膜(4)，晶化设备还包括：光转换元件(3)，其把具有均匀强度分布的光束转换为具有周期性向上凹入强度分布的光束；和使光束通过的移相掩模(1)，其在光束的各部分之间产生相位差，并把具有均匀强度分布的光束转换为具有反转峰型周期性强度分布的光束，移相掩模(1)具有确定反转峰型的强度分布为最小的位置的移相部分(11e)，光转换元件(3)，其位于发光光学系统(2)和未晶化半导体膜(4)之间的光径上，移相掩模(1)位于光转换元件(3)和未晶化半导体膜(4)之间的光径上，设置光转换元件(3)和移相掩模(1)以致向上凹入强度分布的最小位置设置在移相部分(11e)的对面，和通过光转换元件(3)和移相掩模(1)转换并用其照射未晶化半导体膜(4)的光束，该光束具有包括在向上凹入部分内的反转峰部分的强度分布。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||