发明名称 多联电容器
摘要 公开了一种用在高频应用和其它环境的多层和多联电容器。本电容器包括一体的封装中多个电容器部件(10)或它的方案。这种部件包括例如薄膜BGA部件、交叉指形(IDC)结构、双层电化学电容器、单层电容器等。本主题的示例性实施例优选包含薄膜BGA技术和/或IDC型结构的至少某些方案。提供固定和互连结构以便于低ESL,同时保持给定的电容值。附加的优点包括宽工作频率基础上的低ESL和去耦特性。更具体地,目前公开的技术提供了从千赫到几千兆赫频率范围上的工作的示例性电容器,另一特点为宽电容值。本主题的附加公开特征是引入了各种厚度的介质层(22)以扩宽与特定结构相关的谐振曲线。
申请公布号 CN1476618A 申请公布日期 2004.02.18
申请号 CN02803172.5 申请日期 2002.09.05
申请人 阿维科斯公司 发明人 约翰·L·高尔瓦格尼;罗伯特·海斯坦第二;戈尔格·科罗尼
分类号 H01G4/00;H01G4/228;H01G4/06;H01G4/20;H01G4/38 主分类号 H01G4/00
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 张平元;赵仁临
主权项 1.一种多层电容器,包括:基板;大体上覆盖所述基板的第一电极层;大体上覆盖所述第一电极层的第一绝缘层,所述第一绝缘层定义出穿过其的第一多个通孔,所述第一多个通孔每个具有第一直径;大体上覆盖所述第一绝缘层的电阻层,所述电阻层定义出穿过其的第二多个通孔,所述第二多个通孔每个具有大于或等于所述第一直径的第二直径;大体覆盖所述电阻的第二电极层,所述第二电极层定义出穿过其的第三多个通孔,所述第三多个通孔每个具有大于或等于所述第二直径的第三直径,所述第一、第二和第三多个通孔分别同轴地并置并形成多个三联体通孔;以及穿过选定的所述三联体通孔的第一多个导电通路,每个所述第一多个导电通路分别连接到所述第一电极层,并以与所述第二电极层无接触的方式提供。
地址 美国南卡罗来纳州