动态随机存取存储器单元的形成方法

摘要

公开了一种DRAM(动态随机存取存储器)单元的形成方法，其中蚀刻具有n⁺掩埋层的半导体衬底以形成用于存储电极的接触孔，并在其内形成具有作为掺杂区的n⁺掩埋层的垂直结构的MOS晶体管。

主权项

1.一种动态随机存取存储器单元的形成方法，包括步骤：通过向半导体衬底注入高浓度杂质形成掩埋层；形成具有第一栅极氧化膜、第一栅极电极、源极区和漏极区的MOS晶体管；在整个表面上形成平整的第一中间层绝缘膜；蚀刻在该漏极区上的第一中间层绝缘膜部分、该漏极区和在该漏极区下面的半导体衬底部分以暴露该掩埋层，由此形成用于存储电极的接触孔；通过形成两端分别叠放在该漏极区上的第二栅极氧化膜图形以及叠放在第二栅极上的第二栅极电极，在该接触孔里形成垂直MOS晶体管；在第二栅极电极上形成存储电极，使两端分别在该漏极区上延伸；在该存储电极上形成介电层和平板电极；在整个表面上形成平整的第二中间层绝缘膜；顺序蚀刻第二中间层绝缘膜和在该源极区上的第一中间层绝缘膜以暴露该源极区，从而形成位线接触孔；和形成通过位线接触孔接触该源极区的位线。