发明名称 固体摄像装置及其制造方法
摘要 提供可以充分减少从垂直电荷传送部向水平电荷传送部的信号电荷的传送剩余的固体摄像装置及其制造方法。在具备有多个垂直电荷传送部以及与上述垂直电荷传送部的至少一端所连接的水平电荷传送部的固体摄像装置中,使构成上述垂直电荷传送部的第1导电型垂直传送沟道区域、第2导电型器件隔离区域以及第2导电型垂直势阱区域延伸到上述垂直电荷传送部和水平电荷传送部之间的连接部,该延伸出的区域的水平电荷传送部一侧的端部与最终垂直传送电极的水平电荷传送部一侧的端部相比更加位于水平电荷传送部一侧,并且进行调整使之从第2导电型器件隔离区域的水平电荷传送部一侧的端部位于1.5μm之内。
申请公布号 CN1476101A 申请公布日期 2004.02.18
申请号 CN03178785.1 申请日期 2003.07.23
申请人 松下电器产业株式会社 发明人 山田彻
分类号 H01L27/146;H04N5/335 主分类号 H01L27/146
代理机构 永新专利商标代理有限公司 代理人 黄剑锋
主权项 1.一种固体摄像装置,其特征为:具备多个垂直电荷传送部以及水平电荷传送部,该水平电荷传送部与上述垂直电荷传送部的至少一端连接,接受从上述垂直电荷传送部传送的电荷并对其进行传送,上述垂直电荷传送部具备第1导电型垂直传送沟道区域、与上述第1导电型垂直传送沟道区域相邻而形成的第2导电型器件隔离区域、在上述第1导电型垂直传送沟道区域上形成的多个垂直传送电极和最终垂直传送电极、以及在上述第1导电型垂直传送沟道区域之下形成的第2导电型垂直势阱区域,上述水平电荷传送部具备第1导电型水平传送沟道区域、在上述第1导电型水平传送沟道区域上形成的多个水平传送电极、以及在上述第1导电型水平传送沟道区域之下形成的第2导电型水平势阱区域,在上述垂直电荷传送部和上述水平电荷传送部之间的连接部上,上述第1导电型垂直传送沟道区域、上述第2导电型器件隔离区域及上述第2导电型垂直势阱区域从上述垂直电荷传送部延伸出,上述水平传送电极的一部分重叠在该第1导电型垂直传送沟道区域的上述连接部延伸出的部分上,在上述第1导电型垂直传送沟道区域及上述第2导电型垂直势阱区域的上述连接部延伸出的部分的上述水平电极传送部一侧的端部,与上述最终垂直传送电极的上述水平电荷传送部一侧的端部相比更加位于上述水平电荷传送部一侧,并且位于距离上述第2导电型器件隔离区域的上述水平电荷传送部一侧的端部1.5μm之内。
地址 日本大阪府