监视方法、曝光方法、半导体装置之制造方法、蚀刻方法及曝光处理装置

摘要

本发明之目的在于提供可高精确度地测定微细图案加工尺寸之监视方法，其系包含在底层膜2上形成包含至少一边对底层膜2之表面倾斜之倾斜侧壁20之监视光阻图案13，且测定垂直于倾斜侧壁20与底层膜相交之方向之方向之监视光阻图案13之宽度之步骤；利用监视光阻图案13作为光罩而选择地蚀刻底层膜2，以形成监视底层膜图案12，并测定垂直于倾斜侧壁20与底层膜相交之方向之方向之监视底层膜图案12之宽度之步骤；及利用监视光阻图案13之宽度与监视底层膜图案12之宽度之差而获得偏移宽度△s之步骤。