双金属镶嵌沟深度监控系统

摘要

本发明揭示一种双金属镶嵌制程方法，包括于含有单层之电介质材料之绝缘结构中形成复数个通孔开口；并同时（i）于绝缘结构中形成复数个沟渠，各沟渠沿着一群通孔开口大致形成之直线而定位，和（ii）使用散射仪系统监控沟渠之形成以判定沟渠深度，以及当达到所希望之沟渠深度时，则终止形成该沟渠。