发明名称 半导体记忆元件以及输出更新旗标的系统
摘要 提供一种半导体记忆元件与系统,其中可产生一更新旗标。半导体记忆元件包括用以产生震荡器输出讯号之震荡器;用以响应于预设之第一控制讯号、第二控制讯号、震荡器输出讯号及一外部时脉讯号,以产生一更新脉波之更新计时器;用以响应于一位址讯号与一外部命令,产生第一控制讯号与第二控制讯号,第一控制讯号控制更新计时器产生更新脉波之时间,而第二控制讯号重置更新计时器之模式暂存器组单元;以及用以响应于更新脉波,产生一更新控制讯号,更新控制讯号更新记忆胞之更新控制器,其中,当更新记忆胞时,输出更新控制讯号成为更新旗标。使用半导体记忆元件与系统,即可于使用DRAM来取代SRAM时,藉由更新操作之执行,而可抑制记忆元件占用空间之增加,或读写操作周期时间之增加。
申请公布号 TW200402738 申请公布日期 2004.02.16
申请号 TW092120625 申请日期 2003.07.29
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 李祯培
分类号 G11C7/00;H01L21/00 主分类号 G11C7/00
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 韩国