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发明名称
半导体装置之制造方法、半导体装置及液晶显示装置
摘要
本发明系提供一种谋求减少制造步骤数及制造成本之半导体装置之制造方法,及适合该方法之半导体装置。于基板1上形成闸极2、闸极绝缘膜3、半导体膜4、欧姆接触层5、源极6、汲极7及保护膜8。其次,形成具有孔9a之底层膜9,将该底层膜9作为蚀刻掩膜,蚀刻保护膜8。藉由该蚀刻,于保护膜8形成连续地接着底层膜9之孔9a之孔8a,汲极7露出。于保护膜8之蚀刻后,通过底层膜9之孔9a与保护膜8之孔8a,形成连接于汲极7之反射电极10。(参照图5)。
申请公布号
TW200402756
申请公布日期
2004.02.16
申请号
TW092106028
申请日期
2003.03.19
申请人
皇家飞利浦电子股份有限公司
发明人
田中秀夫;八田嘉久
分类号
H01L21/00;G02F1/1343;G02F1/1368
主分类号
H01L21/00
代理机构
代理人
陈长文
主权项
地址
荷兰
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