发明名称 接触气相氧化方法
摘要 本发明提供一种具长期反应继续性,不受高温部位之发生处所及气体原料浓度高低之影响,且收率高的接触气相氧化方法;其使用填充钼系触媒之固定床多管式反应器,以接触气相氧化反应,制造不饱和羧酸,或者不饱和醛及/或不饱和羧酸。本发明之不饱和羧酸,或者不饱和醛及/或不饱和羧酸的制造方法,其特征为以钼及钒,或者钼,铁,及铋为必要成份,以氧化物及/或复合氧化物为触媒成份,同时使用具有细孔之粒状触媒;在上述固定床多管式反应器中,将各反应管的触媒填充层,依管轴方向划分为复数个反应带;上述触媒之填充,在此复数个反应带中,至少有二个其孔径不同之填充。
申请公布号 TW200402414 申请公布日期 2004.02.16
申请号 TW092106217 申请日期 2003.03.20
申请人 触媒股份有限公司 发明人 柚木弘己;谷本道雄
分类号 C07C57/055;C07C51/235 主分类号 C07C57/055
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本