发明名称 非挥发性记忆装置
摘要 本发明提供一种非挥发性记忆装置,其可形成积体电路在如玻璃和树脂基底之基底上且可选择所需的记忆胞,其中该非挥发性记忆装置,包含一矩阵接线,一开关元件,和一记忆元件,其中该记忆元件具有一可变阻抗,开关元件和记忆元件包含一有机半导体元件或一有机电导体或两者皆有。
申请公布号 TW200402873 申请公布日期 2004.02.16
申请号 TW092121497 申请日期 2003.08.06
申请人 佳能股份有限公司 发明人 平井匡彦;佐藤尚武
分类号 H01L27/10;H01L51/00 主分类号 H01L27/10
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本