| 摘要 |
本发明系一种使MRAM元件之记录保持可靠性提高之磁性非挥发性记忆元件之磁屏蔽封装体及封装材料。本发明系将树脂内混合软磁性材料之含软磁性体之树脂复合体作为封装树脂（14）来封装MRAM元件（11），而形成磁屏蔽封装体（10）。藉此，藉由对低频磁场提供透磁率之实部μ’项，而抑制磁束进入MRAM元件（11）。此外，藉由对高频磁场提供透磁率之虚部μ”项，吸收磁场作为热能，而抑制磁束进入MRAM元件（11）。再者，藉由在包围MRAM元件（11）周围之状态下实施封装，可有效抑制磁束自各方向进入。因此可对宽广频率范围之外部磁场提高MRAM元件（11）之记录保持可靠性。 |
