Verfahren für ein verbessertes epitaktisches Wiederaufwachsen amorpher Polysilizium-CB-Kontakte

摘要

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum epitaktischen Wiederaufwachsen von amorphen komplementär-bipolaren (CB) Polysiliziumkontakten beim Herstellen eines DRAM-Speichers, wobei dotiertes Polysilizium sowohl als CB-Kontakt und auch als Dotierquelle in der Kontaktregion verwendet wird, und wobei amorphes Silizium zum Auffüllen des CB-Kontakts verwendet wird, umfassend: DOLLAR A (a) Entfernen von SiN und SiO mittels Ausführen eines CB-Liner-Reaktiven Ionenätzschritts; DOLLAR A (b) Ausführen einer Sauerstoff-Ex-Situ-Plasmareinigung; DOLLAR A (c) Ausführen einer Huang-AB-Reinigung; DOLLAR A (d) Reinigen mit verdünnter Fluorwasserstoffsäure (DHF); DOLLAR A (e) Aufbringen von amorphem Silizium und DOLLAR A (f) Ausführen eines Ausheilschritts zum Rekristallisieren und zum Wiederaufwachsen des amorphen CB-Kontakts.