| 主权项 |
1.一种具有可修复滙流排线之薄膜电晶体矩阵,其包含:一绝缘基体;数个薄膜电晶体,以列及行矩阵图案配置于该绝缘基体上,各薄膜电晶体具有一闸极、一源极、与一汲极;一像素电极,形成于该绝缘基体上并连接至该等薄膜电晶体之源极;数条闸极滙流排线,沿该绝缘基体之一列方向配置,各滙流排线被连接至该闸极并包括一实质上沿该闸极滙流排线之整个长度直接配置于一第一金属层下之由该第一金属层与一第一半导体层构成的第一叠层;及数条汲极滙流排线,沿该绝缘基体之一行方向配置,各滙流排线被连接至该汲极并包括一实质上沿该汲极滙流排线之整个长度直接配置于一第二金属层下之由该第二金属层与一第二半导体层构成的第二叠层。2.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体矩阵,其中该绝缘基体为一透明绝缘基体。3.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体矩阵,其中该闸极包括与该闸极滙流排线相同的该第一叠层,且该源极与该汲极包括与该汲极滙流排线相同的该第二叠层。4.如申请专利范围第3项所述之薄膜电晶体矩阵,其中该第一金属层具有一第一局部缺陷,此处该第一金属层并不存在或仅部份存在,及一埋入该第一局部缺陷之第三金属层。5.如申请专利范围第3项所述之薄膜电晶体矩阵,其中该第二金属层具有一第二局部缺陷,此处该第二金属层并不存在或仅部份存在,及一埋入该第二局部缺陷之第四金属层。6.如申请专利范围第4项所述之薄膜电晶体矩阵,其中该第一金属层系由一以Cr、Ta、Mo、W、Ti及上述材料之合金所组成之组群中所选出的材料所构成。7.如申请专利范围第4项所述之薄膜电晶体矩阵,其中该第三金属层系由一以W、Mo、Ta、Ti、Cr、Ni、Cu与Al所组成之组群中所选出的材料所构成。8.如申请专利范围第5项所述之薄膜电晶体矩阵,其中该第二金属层系由一以Cr、Ta、Mo、W、Ti或上述材料之合金所组成之组群中所选出的材料所构成之一单一层或由一包括一Al层在内的叠层所制成。9.如申请专利范围第5项所述之薄膜电晶体矩阵,其中该第四金属层系由一以W、Mo、Ta、Ti、Cr、Ni、Cu与Al所组成之组群中所选出的材料所构成。10.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体矩阵,其更包含:数条储存电容器滙流排线,平行于该等闸极滙流排线配置于该像素电极下及该透明绝缘基体上,该储存电容器滙流排线系由该第一叠层构成;及一绝缘膜,覆盖该等储存电容器滙流排线且配置于该透明绝缘基体上之该像素电极下。11.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体矩阵,其更包含:数条储存电容器滙流排线,平行于该汲极滙流排线配置于该像素电极下及该透明绝缘基体上,该储存电容器滙流排线系由该第二叠层构成;及一绝缘膜,覆盖该等储存电容器滙流排线并配置于该透明绝缘基体上之该像素电极下。12.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体矩阵,其中该第一与第二半导体层系以矽构成。13.一种制造具有可修复滙流排线之薄膜电晶体矩阵的方法,该薄膜电晶体矩阵具有数个以矩阵型式配置于一绝缘基体上的薄膜电晶体,各薄膜电晶体具有一闸极、一源极、与一汲极,该薄膜电晶体矩阵具有一连接至该等薄膜电晶体之源极的像素电极、数条沿一列方向整体配置的闸极滙流排线,及数条沿一行方向整体配置的汲极滙流排线,该方法包含下列步骤:在该绝缘基体上形成一第一半导体层;在该第一半导体层上形成一第一金属层;及将该第一金属层与该第一半导体层图案化以形成该薄膜电晶体之该闸极与该闸极滙流排线,其中该第一半导体层实质上系沿该闸极滙流排线之整体长度直接配置于该第一金属层下。14.如申请专利范围第13项所述之制造具有可修复滙流排线之薄膜电晶体矩阵的方法,其中该绝缘基体为一透明绝缘基体。15.如申请专利范围第13项所述之制造具有可修复滙流排线之薄膜电晶体矩阵的方法,其中该第一半导体层为一矽层。16.如申请专利范围第13项所述之制造具有可修复滙流排线之薄膜电晶体矩阵的方法,更包含下列步骤:在该绝缘基体上形成一第二半导体层;在该第二半导体层上形成一第二金属层;及将该第二金属层及该第二半导体层图案化以形成该薄膜电晶体之该汲极与该汲极滙流排线。17.如申请专利范围第13项所述之制造具有可修复滙流排线之薄膜电晶体矩阵的方法,其中该图案化第一金属层具有一第一缺陷,此处该第一金属层并不存在或仅部份存在,且此方法更包含选择性地在由该第一缺陷所图案化及曝露之该第一半导体层上形成一第三金属层的步骤。18.如申请专利范围第16项所述之制造具有可修复滙流排线之薄膜电晶体矩阵的方法,其中该图案化第二金属层具有一第二缺陷,此处该第二金属层并不存在或仅部份存在,且此方法更包含选择性地在由该第二缺陷所图案化及曝露之该第二半导体层上形成一第四金属层的步骤。19.如申请专利范围第16项所述之制造具有可修复滙流排线之薄膜电晶体矩阵的方法,其中该等图案化第一与第二金属层具有缺陷,此处该相关的第一或第二金属层并不存在或仅部份存在,且此方法更包含下列步骤:各别在该等图案化第一与第二金属层上形成第一与第二绝缘膜;将缺陷区域的第一与第二绝缘膜移除;移除具有该等缺陷之区域内之该等第一与第二绝缘膜;及选择性地在曝露于存有缺陷的区域内之该等第一与第二半导体层上生长一第三金属层。20.如申请专利范围第16项所述之制造具有可修复滙流排线之薄膜电晶体矩阵的方法,其中该第二半导体层为一矽层。21.一种制造具有可修复滙流排线之薄膜电晶体矩阵的方法,该薄膜电晶体矩阵具有数个以一列或行矩阵图案配置于一绝缘基体上的薄膜电晶体,各薄膜电晶体具有一闸极、一源极、与一汲极,该薄膜电晶体矩阵具有一连接至该等薄膜电晶体之源极的像素电极、数条沿一列方向配置的闸极滙流排线,及数条沿一行方向配置的汲极滙流排线,该方法包含下列步骤:在该绝缘基体上形成一第一金属层;图案化该第一金属层以形成该等闸极与闸极滙流排线;在该绝缘基体上形成一半导体层;在该半导体层上形成一第二金属层;图案化一由该第二金属层与该半导体层所构成之叠层以形成该等汲极电极与汲极滙流排线,该图案化第二金属层具有一缺陷,此处该第二金属层并不存在或仅部份存在;及在曝露于该缺陷之该半导体层上选择性地生长一第三金属层。图式简单说明:第1A至1D图为本发明之薄膜电晶体矩阵的等效电路图及滙流排线交叉区域之截面图。第2A至2F图以截面图显示采用底闸极TFT基体之液晶显示器面板的主要制程。第3图为第2D图之制程后的TFT基体平面图。第4A至4D图以截面图显示修复金属层中之故障的流程。第5A至5D图以截面图显示修复金属层中之故障的流程。第6A至6E图以截面图显示修复金属层中之故障的流程。 |
