| 主权项 |
1.一种于一半导体基底上制作一闸极的方法,该半导体基底表面包含有一第一氧化层、一导电层、一金属矽化物层以及一遮罩层(hard mask),该方法包含有下列步骤:于该遮罩层中定义出该闸极的图案;进行一蚀刻制程,去除未被该遮罩层覆盖之该金属矽化物层以及该导电层;于该半导体表基底面进行一氧化制程(O2 flush),以于该第一氧化层表面形成一第二氧化层;以及进行一湿蚀刻制程,去除部分之该金属矽化物层,使该金属矽化物层之二侧壁具有一内凹结构,并且回蚀刻该第二氧化层。2.如申请专利范围第1项之方法,其中设于该闸极下方之该第一氧化层用来作为该闸极的闸极氧化层,且该第一氧化层系由二氧化矽(silicon dioxide,SiO2)所形成。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该导电层系由一掺杂多晶矽层所构成。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该蚀刻制程系为一乾蚀刻制程。5.一种于一半导体基底上制作一金属氧化物半导体(metal oxidesemiconductor,MOS)电晶体的方法,该方法包含有下列步骤:于该半导体基底表面依序形成一第一氧化层、一导电层、一金属矽化物层以及一遮罩层;于该遮罩层中定义出该MOS电晶体之闸极的图案;进行一蚀刻制程,以去除未被该遮罩层覆盖之该金属矽化物层、该导电层直至该第一氧化层表面;于该半导体表基底面进行一氧化制程(O2 flush),以于该第一氧化层表面形成一第二氧化层;进行一湿蚀刻制程,去除部分之该金属矽化物层,使该金属矽化物层之二侧壁具有一内凹结构,并且回蚀刻该第二氧化层,完成该MOS电晶体的闸极结构;以及进行一离子布植制程(ion implantation),以于该半导体基底表面形成该MOS电晶体之轻掺杂汲极(lightlydoped drain,LDD)。6.如申请专利范围第5项之方法,其中设于该闸极下方之该第一氧化层用来作为该闸极的闸极氧化层,且该第一氧化层系由二氧化矽所形成。7.如申请专利范围第5项之方法,其中未被该闸极所覆盖之该第一氧化层用来作为一垫氧化层,以降低该离子布植对该半导体基底表面之破坏。8.如申请专利范围第5项之方法,其中该导电层系由一掺杂多晶矽层所构成。9.如申请专利范围第5项之方法,其中该蚀刻制程系为一乾蚀刻制程。10.如申请专利范围第5项之方法,其中该MOS电晶体系用来作为动态随机存取记忆体(dynamic random accessmemory,DRAM)中之记忆单胞(memory cell)的过场电晶体(pass transistor)。11.如申请专利范围第5项之方法,其中该方法于形成该轻掺杂汲极之后另包含一离子布植制程,以于该半导体基底表面形成该MOS电晶体的源极(source)与汲极(drain)。图式简单说明:图一至图四为习知于一半导体晶片上制作闸极的制程示意图。图五至图九为本发明于一半导体晶片上制作闸极的制程示意图。 |
