| 主权项 |
1.一种制造带有低电气电阻之含金属薄膜之方法,该方法包含下列步骤:a)于基板材料(1.3.4)上形成一层含金属层(5'),该含金属层(5')具有高达再结晶厚度(d1)的初次颗粒大小;b)进行该含金属层(5')之再结晶,俾制造带有第二晶粒大小之含金属层(5"),该第二晶粒大小系大于再结晶厚度(d1)之第一晶粒大小;以及减薄带有第二晶粒大小之含金属层(5")至预定目标厚度(d2)。2.如申请专利范围第1项之方法,其特征为下述进一步步骤:d)结构化带有第二晶粒大小之含金属薄膜(5"),以制造结构化含金属层(5"')。3.如申请专利范围第1或2项之方法,其特征为于步骤a),再结晶厚度(d1)系设定为大于0.3微米之厚度。4.如申请专利范围第1或2项之方法,其特征为于步骤a),该基板材料有一扩散阻挡层(3)。5.如申请专利范围第1或2项之方法,其特征为于步骤a),该基板材料有一种子层(4)。6.如申请专利范围第1或2项之方法,其特征为于步骤d),该种子层(4)及该扩散阻挡层(3)已经过结构化。7.如申请专利范围第1或2项之方法,其特征为于步骤a),进行CVD、PVD及/或ECD方法。8.如申请专利范围第1或2项之方法,其特征为于步骤a),使用Cu、Al、Ag及/或Au以形成含金属层(5')。9.如申请专利范围第1或2项之方法,其特征为于步骤a),使用搀杂金属以制成含金属层(5')。10.如申请专利范围第1或2项之方法,其特征为于步骤b),退火系于室温进行数日。11.如申请专利范围第1或2项之方法,其特征为于步骤b),退火系于100℃至400℃之温度范围进行10至60分钟时间。12.如申请专利范围第1或2项之方法,其特征为于步骤b),再结晶系于遮蔽气体气氛下进行。13.如申请专利范围第1或2项之方法,其特征为于步骤c),目标厚度(d2)系设定于小于0.1微米之厚度。14.如申请专利范围第1或2项之方法,其特征为于步骤c),进行CMP、乾蚀刻、湿蚀刻及/或电抛光方法。15.如申请专利范围第2项之方法,其特征为于步骤d),进行RIE方法。16.如申请专利范围第2项之方法,其特征为于步骤d),以氯为主之蚀刻化学系于180℃至300℃之温度使用。17.如申请专利范围第2项之方法,其特征为于步骤d),使用湿化学蚀刻。图式简单说明:图1a及1b显示简化剖面图,显示习知金属镶嵌方法牵涉之重要制造步骤;图2为简化平面图显示根据先前技艺之结构相关再结晶性质;以及图3a至3d为简化剖面图显示于本发明之含金属薄膜制造中牵涉之重要方法步骤。 |
