发明名称 用于微影蚀刻之光阻组合物之溶解抑制剂
摘要 本发明系关于一种光阻组合物,其包含聚合物黏结剂;光活性组成分;以及至少一种溶解抑制剂,其包含链烷烃或环烷烃化合物,其含有至少一个具有如下结构式之官能基-C(Rf)(Rf')OR其中Rf及Rf'为相同或相异之含1至约10个碳原子之氟烷基,或共同形成(CF2)a,其中a为2至约10之整数,以及R为氢原子或酸不稳定性保护基。典型,溶解抑制剂于157毫微米波长具有吸收系数小于约4.0微米-1。
申请公布号 TW575788 申请公布日期 2004.02.11
申请号 TW090125390 申请日期 2001.10.15
申请人 杜邦股份有限公司 发明人 赖瑞L 伯格;杰拉德 费德曼;费彻斯拉夫 亚历山卓维奇 派卓夫;ALEXANDREVICH PETROV;法兰克L 夏德 三世;安德鲁E 费陵;佛莱卓克 克劳斯 苏斯塔 二世
分类号 G03F7/00 主分类号 G03F7/00
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种光阻组合物,包含:(a)聚合物黏结剂;(b)光活性组成物;以及(c)至少一种溶解抑制剂,其包含链烷烃或环烷烃化合物,其含有至少一个具有如下结构式之官能基-C(Rf)(Rf')OR其中Rf及Rf'为相同或相异之含1至约10个碳原子之氟烷基,或共同形成(CF2)a,其中a为2至约10之整数,以及R为氢原子或酸不稳定性保护基。2.如申请专利范围第1项之光阻组合物,其中溶解抑制剂于157毫微米波长具有吸收系数小于4.0微米-1。3.如申请专利范围第1项之光阻组合物,其中溶解抑制剂于157毫微米波长具有吸收系数小于3.5微米-1。4.如申请专利范围第1项之光阻组合物,其中溶解抑制剂于157毫微米波长具有吸收系数小于3.0微米-1。5.如申请专利范围第1项之光阻组合物,其中Rf及Rf'为三氟甲基。6.如申请专利范围第1项之光阻组合物,其中R系选自由第三级脂肪族醇形成的碳酸根取代基、经稳定化之碳阳离子形成基以及缩醛基组成的组群。7.如申请专利范围第6项之光阻组合物,其中由第三级脂肪族醇形成的碳酸根取代基系选自碳酸第三丁酯、碳酸2-甲基-2-金刚烷酯及碳酸异冰片酯组成的组群。8.如申请专利范围第6项之光阻组合物,其中经安定化之碳阳离子形成基系选自第三丁、2-甲基-2-金刚烷基、环丙基甲醇基、2-丙烯基及2-三甲基矽烷基乙基组成的组群。9.如申请专利范围第6项之光阻组合物,其中该缩醛基系选自2-四氢喃基、2-四氢喃基及-烷氧烷基组成的组群。10.如申请专利范围第9项之光阻组合物,其中该缩醛基为甲氧甲基或乙氧甲基。11.如申请专利范围第1项之光阻组合物,其中该溶解抑制剂为具有分子量小于或等于3000之饱和寡聚物。12.如申请专利范围第11项之光阻组合物,其中该饱和寡聚物系选自:组成的组群,其中m为2至9之整数,以及R为酸不稳定性保护基。13.如申请专利范围第12项之光阻组合物,其中R为CH2OR5以及R5为含1至10个碳原子之烷基。14.如申请专利范围第1项之光阻组合物,其中该溶解抑制剂具有结构式:A[(OCH2)cC(Rf)(Rf')OR]b其中A为含2至30个碳原子之链烷烃或环烷烃基,Rf及Rf'为含1至约10个碳原子之相同或相异氟烷基,或共同形成(CF2)a,其中a为2至10之整数,R为氢原子或酸不稳定性保护基,b为1至10之整数,以及c为0或1之整数。15.如申请专利范围第14项之光阻组合物,其中该环烷烃基为类固醇核。16.如申请专利范围第1项之光阻组合物,其中该光活性组成分系化学键结至黏结剂聚合物。17.如申请专利范围第1项之光阻组合物,其中该光活性组成分未化学键结至黏结剂聚合物。18.如申请专利范围第1项之光阻组合物,其中该聚合物黏结剂分子量(Mn)系大于或等于溶解抑制剂分子量之两倍。19.如申请专利范围第2项之光阻组合物,其中该聚合物黏结剂于157毫微米波长具有吸收系数小于4.0微米-1。20.一种于具有光阻层之基板上形成浮凸影像之方法,该方法循序包含:(A)全曝光光阻层而形成成像区及非成像区,其中该光阻层系由光阻组合物制备,该组合物包含:(a)聚合物黏结剂;(b)光活性组成物;以及(c)至少一种溶解抑制剂,包含一种链烷烃或环烷烃化合物其含有至少一个具有如下结构式之官能基-C(Rf)(Rf')OR其中Rf及Rf'为相同或相异之含1至约10个碳原子之氟烷基,或共同形成(CF2)a,其中a为2至约10之整数,以及R为氢原子或酸不稳定性保护基;及(B)显像全曝光光阻层而于基板上形成浮凸影像。21.如申请专利范围第20项之方法,其中该溶解抑制剂于波长157毫微米具有吸收系数小于4微米-1。22.如申请专利范围第21项之方法,其中该聚合物黏结剂于波长157毫微米具有吸收系数小于4.0微米-1。23.如申请专利范围第20项之方法,其中该溶解抑制剂为具有分子量小于或等于3000之链烷烃或环烷烃寡聚物。24.如申请专利范围第20项之方法,其中该溶解抑制剂为具有如下结构式之链烷烃或环烷烃化合物:A[(OCH2)cC(Rf)(Rf')OR]b其中A为含2至30个碳原子之链烷烃或环烷烃基,Rf及Rf'为含1至约10个碳原子之相同或相异氟烷基,或共同形成(CF2)a,其中a为2至10之整数,R为氢原子或酸不稳定性保护基,b为1至3之整数,以及c为0或1之整数。25.如申请专利范围第24项之方法,其中该环烷烃基为类固醇核。26.如申请专利范围第14项之光阻剂组合物,其中b为大于1之整数。27.如申请专利范围第14项之光阻剂组合物,其中b为2至10之整数。28.如申请专利范围第14项之光阻剂组合物,其中A系衍生自4,4'-亚异丙基二环己醇。29.如申请专利范围第28项之光阻组合物,其中c为1,Rf及Rf'为三氟甲基,R为甲氧甲基及b为2。30.如申请专利范围第1项之光阻组合物,其中该溶解抑制剂为环烷烃化合物。31.如申请专利范围第14项之光阻组合物,其中该溶解抑制剂为环烷烃化合物。32.如申请专利范围第1项之光阻组合物,其中该溶解抑制剂为具有至少一个酚系基之化合物与1,1-贰(三氟甲基)环氧乙烷之饱和反应产物。33.如申请专利范围第32项之光阻组合物,其中该反应产物系经由于氢化条件下接触氢而被饱和。34.如申请专利范围第32项之光阻组合物,其中该反应产物包含氟化醇基。35.如申请专利范围第34项之光阻组合物,其中该氟化醇基系经保护。36.如申请专利范围第1项之光阻组合物,进一步包含一种溶剂。
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