| 主权项 |
1.一种处理基板并减少金属及/或微粒污染之方法,其包含下列步骤:(a)将一基板置入一处理室之基板载器上,该处理室包含至少一个组件,其具有相邻于该基板之暴露表面,该组件包含以碳化矽为基底之材料;(b)藉由提供处理气体至处理室处理该基板,并在该处理室中将该处理气体激化成为电浆态,该碳化矽组件与该电浆接触并提供维持该电浆之RF电流一接地路径;(c)将该基板移出该处理室;以及(d)在该处理室中,藉由重复步骤(a)-(c)连续地处理其余之基板,由于降低了在该碳化矽组件上之电浆电位及/或减少了非碳化矽内部表面之溅射,而在处理步骤中将基板之微粒污染降至最低,该碳化矽组件包含一位于该处理室内之一衬垫,以及形成该处理室之侧墙,该衬垫系一分离部分而附接于提供该衬垫接地之该处理室之接地部分。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该碳化矽组件包含一形成于该处理室侧墙之衬垫,该处理室内含一实质为平面之天线,其藉由提供RF功率至该天线将该处理气体激化,而该处理气体包含一种或多种碳氢氟化物气体。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该电浆由高密度电浆构成,而藉由提供一RF偏压至该基板,以该高密度电浆,蚀刻在该基板上之一氧化物层,来处理该基板。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该碳化矽组件包含一形成于该处理室侧墙之衬垫、一供应该处理气体至该处理室之气体分散板、一延伸于该基板载器与该处理室内墙之间的穿洞挡板、及/或一环绕该基板之聚焦环。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该碳化矽组件包含一形成于该处理室侧墙之衬垫,该衬垫被一加热组件环绕,其维持该衬垫于一所需之温度。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该碳化矽组件基本上由热压、烧结、CVD或反应键结之SiC,或一SiC被覆形成于该碳化系组件之暴露表面的合成物构成。7.如申请专利范围第1项之方法,其中该碳化矽组件包含一加热之衬垫与一挡板,该衬垫环绕该基板载器,而该挡板包含一延伸于该衬垫与该基板载器之间的有小孔之环,在处理步骤期间,将该基板加热至一高于室温之温度。8.如申请专利范围第1项之方法,其中该碳化矽组件包含一气体分散板,其阻値高至足以使该碳化矽组件成为绝缘材料,藉由透过该气体分散板耦合RF能量进入腔室,将该处理气体激化。9.如申请专利范围第8项之方法,其中该碳化矽组件还包括一阻値低于200.cm之衬垫。10.一种电浆处理室,包含:一基板载器,用以在该处理室内部中支撑一基板;至少一组件,其具有一相邻于该基板之暴露表面,该组件包含以碳化矽为基底之材料,其具有之密度至少为3.1g/cm3,而且至少含有99wt%之碳与矽,该碳化矽组件包含一位于该处理室内之一衬垫,以及形成该处理室之侧墙,该衬垫系一分离部分而附接于提供该衬垫接地之该处理室之接地部分;一气体供应源,其供应处理气体至该处理室内部:以及一能量源,其提供能量至该处理室内部,并将该处理气体激化成电浆态用以处理基板,该碳化矽组件由于降低了在该碳化矽组件上之电浆电位及/或减少了非碳化矽腔室内部表面之溅射,而在电浆处理步骤中将基板之微粒污染降至最低。11.如申请专利范围第10项之电浆处理室,其中该碳化矽组件包含一形成于该处理室侧墙之衬垫,该衬垫被一加热组件环绕,其维持该衬垫于一所需之温度。12.如申请专利范围第10项之电浆处理室,其中该处理室包含一介电质视窗,而该能量源由一RF能量源以实质为平面、相邻于该视窗之天线形式构成,该天线透过该视窗提供RF能量,将该处理室中之处理气体激化成电浆态。13.如申请专利范围第10项之电浆处理室,其中该碳化矽组件包括一气体分散板、一聚焦环、一介于该基板载器与该一处理室内墙之间的穿孔挡板,及/或一腔室衬垫。14.如申请专利范围第10项之电浆处理室,其中该碳化矽组件包含一形成于该处理室一侧墙之圆柱形及/或圆锥形衬垫。15.如申请专利范围第10项之电浆处理室,其中该至少一个碳化矽组件还包含一SiC衬垫与一SiC挡板环。16.如申请专利范围第11项之电浆处理室,其中该至少一个碳化矽组件还包含一SiC挡板环,和该衬垫及/或该加热组件相接触。17.如申请专利范围第10项之电浆处理室,其中该碳化矽组件之电阻至少大约5104.cm。18.如申请专利范围第10项之电浆处理室,其中该碳化矽组件基本上由热压、烧结、CVD或反应键结之SiC,或一SiC被覆形成于该碳化系组件之暴露表面的合成物构成。19.如申请专利范围第10项之电浆处理室,其中该至少一个碳化矽组件包含一SiC衬垫与一SiC气体分散板,该气体分散板之阻値高至足以使该碳化矽组件成为绝缘材料,而该衬垫之阻値低至足以使该衬垫为可导电性的。20.如申请专利范围第10项之电浆处理室,其中该碳化矽组件之密度至少为3.1g/cm3,而且至少含有99wt%之碳与矽。图式简单说明:图1系根据本发明,一真空处理室之截面图,其具有一衬垫、聚焦环、挡板及/或气体分散板;图2系根据本发明,一修正之真空处理室的截面图,其中该衬垫系圆柱形的;图3系根据本发明,一修正之真空处理室的部份截面图,其中该衬垫包括一圆柱形部份与一圆锥形部份;以及图4系根据本发明,一挡板环之上视图。 |
