发明名称 淀积在绝缘板上的薄导电层之蚀刻方法和装置
摘要 在蚀刻之前,施加保护膜(3),具有相当于阵列电极之特点,在蚀刻后去除。为了蚀刻:-令板(1)按要形成的电极一般方向行进;-令电化学溶液在要蚀刻层(2)表面和抗衡电极(10)表面(61)包围的剪力区域(7)内流动;以及-令电流在抗衡电极(10)和未受保护膜(3)保护的区域(4)间流动,把电流喷入导电层(21)表面上与行进方向交叉的接触线(13)内。蚀刻均匀性和形成阵列的准确性获得改进。第1图。
申请公布号 TW575694 申请公布日期 2004.02.11
申请号 TW091124878 申请日期 2002.10.25
申请人 汤姆生特许公司 发明人 贝提尼里;马提尼兹;克利索特
分类号 C25F5/00;H01L21/306 主分类号 C25F5/00
代理机构 代理人 李志鹏 台北市松山区民权东路三段一四四号一五二六室
主权项 1.一种淀积在绝缘板(1)上的薄导电层(2)之蚀刻方 法,以便在此板上于此层内形成导电电极阵列,包 括步骤如下: -在蚀刻之前,于该导电层(2)施加保护膜(3),该保护 膜的特点是相当于该电极阵列之电极; -在蚀刻时,令该导电层(2)表面未受保护区(4),与电 化学蚀刻溶液接触,而且把抗衡电极(10)沉浸于此 溶液内,令电流在该抗衡电极(10)和该未保护区(4) 间流经该溶液,以便在此等区域(4)蚀刻该层(2)全厚 度; 其特征为,在蚀刻当中, -该板(1)行进方向,相当于要形成的电极之一般方 向; -令电流流经溶液,电流在位于导电层(2)表面并与 行进方向交叉的接触线(13)上,带入该未保护区(4) 内;以及 -令该溶液流入利用要蚀刻层(2)表面和该抗衡电极 (10)活性表面(61)所包围溶液之剪力区(7)内者。2.如 申请专利范围第1项之方法,其中该接触线(13)与最 接近此线(13)的溶液剪力区(7)段(8)间之距离,在要 蚀刻区之全宽一定者。3.如申请专利范围第2项之 方法,其中: -该接触线(13)笔直,并垂直于行进方向; -剪力区(7)内的溶液流动方向,与该行进方向相符, 不论顺向或逆向;以及 -剪力区(7)在要蚀刻区的全宽,有一定厚度者。4.如 申请专利范围第3项之方法,其中该接触线(13)与最 接近此线的剪力区段(8)间之距离,小于5cm者。5.如 申请专利范围第3项之方法,其中溶液剪力区(7)沿 行进方向,在相当于该抗衡电极(10)的活性表面(61) 宽度之距离,具有一定厚度者。6.如申请专利范围 第5项之方法,其中该剪力区之厚度介于0.1和5mm之 间者。7.如申请专利范围第3项之方法,其中溶液通 过该剪力区(7)之流量,均匀分布于要蚀刻区之全宽 者。8.如申请专利范围第1项之方法,其中该薄导电 层(2)系基于氧化锡、氧化铬、氧化铟,或此等氧化 物至少二种之混合物者。9.如申请专利范围第8项 之方法,其中该薄导电层(2)系利用热解技术淀积在 绝缘板(1)上者。10.如申请专利范围第8项之方法, 其中电化学蚀刻溶液包括至少一种酸,选自包含盐 酸、硫酸、硝酸、铬酸、乙酸和甲酸者。11.如申 请专利范围第8项之方法,其中该抗衡电极用作阳 极者。12.如申请专利范围第8项之方法,其中与溶 液接触的导电层(2)内平均电流密度大于1A/dm2而者 。13.如申请专利范围第1项之方法,其中该溶液温 度大于或等于30℃者。14.如申请专利范围第1项之 方法,其中该绝缘板(1)系由玻璃制成者。15.一种淀 积在绝缘板(1)上的薄导电层(2)区之蚀刻装置,可用 来实施本发明前述任一申请专利范围方法之蚀刻 步骤,包括: -令此板(1)沿平面行进途径行进之机构(5a,5b,5b',5c), 使要蚀刻的表面与蚀刻溶液接触; -喷射机构,在与溶液接触之前,将电流喷入该导电 层(2)内; -抗衡电极(10),沉浸于该溶液内,使电流回流; -令电流在该电流喷射机构和电流回流抗衡电极(10 )间流经该溶液之机构; 其特征为: -电流喷射机构包括喷射器轨道(11),适于沿行进途 径进入与板之该导电层(2)表面接触,此喷射器轨道 的置设,使此喷射轨道在此层上之接触线(13),与此 行进途径交叉;而 -进一步含有机构,令溶液在抗衡电极活性表面与 行进途径间流动,此项溶液流动区域形成剪力区(7) ,沿行进途径具有上游开口(8)和下游开口(9)者。16. 如申请专利范围第15项之装置,其中采用该喷射器 轨道(11)使该接触线(13)与最接近此线的剪力区(7) 段(8)间之距离,在要蚀刻区的全宽一定者。17.如申 请专利范围第16项之装置,其中: -该喷射器轨道(11)笔直,并垂直于行进方向; -抗衡电极(10)的活性表面(61)和行进途径间之距离, 在要蚀刻区的全宽一定; -令溶液流动的机构,适于令溶液在剪力区(7)内沿 与行进方向同样的方向流动,无论顺向或逆向者。 18.如申请专利范围第17项之装置,其中该接触线(13) 与最接近此线的剪力区段(8)间之距离,小于5cm者。 19.如申请专利范围第17项之装置,其中抗衡电极(10) 的活性表面(61)具有平坦主部,与行进途径平行者 。20.如申请专利范围第19项之装置,其中抗衡电极( 10)的活性表面(61)与行进途径间之距离,介于0.1和5 mm之间者。21.如申请专利范围第17项之装置,其中 令溶液流动之机构包括溶液流分布机构,适于在剪 力区(7)开口(8,9)的全宽获得一定溶液流量者。22. 如申请专利范围第21项之装置,其中令溶液流动之 机构包括喷嘴,至少延伸于要蚀刻层的全宽,其开 口转向剪力区(7)之开口者。23.如申请专利范围第 22项之装置,其中流动机构设计成逼使喷嘴喷出的 溶液,流入剪力区(7)内者。24.如申请专利范围第15 项之装置,其中包括离开剪力区的开口(8,9)之一的 溶液回收机构,以及回收溶液之再循环机构者。25. 如申请专利范围第15项之装置,其中包括蚀刻表面 离开溶液时加以拭乾之机构者。26.使用申请专利 范围第1项之方法,以制造具有至少一阵列电极之 显示器前瓷砖者。27.如申请专利范围第15项之装 置,以制造具有至少一阵列电极之显示器前瓷砖者 。图式简单说明: 第1图为本发明装置较佳具体例之断面图; 第2图为第1图装置中行进板和流动溶液之透视图 。
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