| 主权项 |
1.一种金属抛光垫,其含有捕捉金属离子的官能基 。2.如申请专利范围第1项之抛光垫,其中捕捉金属 离子的官能基包含至少一个选自氧原子、氮原子 、硫原子、磷原子、砷原子及硒原子的原子。3. 如申请专利范围第1项之抛光垫,其中捕捉金属离 子的官能基系至少一个选自-OH、-COOM、>C=O、-O-、- COOR、-CONH2.-NO2.≡N-O、-SO3M、-PHO(OM)、-PO(OM)2.-As(OM)2 .-NH2.>NH、≡N、-N=N-、>C=N-、>C=N-OH、>C=NH、-SCN、-SH 、-S-、>C=S、-COSM、-CSSM、-CSNH2.-NCS、>P-、>As-、>S=Se 、-CseSeM的基团, 其中M代表氢、硷金属、硷土金属或铵基,而R代表 烃。4.如申请专利范围第1项之抛光垫,其中该垫子 包含-种离子交换树脂,或离子交换纤维。5.如申请 专利范围第1项之抛光垫,其中该垫子包含螯合树 脂,或螯合纤维。6.如申请专利范围第1项之抛光垫 ,其中该金属系以铜为主的金属。7.一种金属抛光 装置,其包含如申请专利范围第1项之抛光垫。8.一 种抛光装置,其包含一种使含金属表面的抛光物与 其面对的如申请专利范围第1项的抛光垫接触且在 彼间均匀地施加压力的装置,一种旋转或移动抛光 物及抛光垫同时保持彼间接触的装置,以及一种装 填促进抛光物及抛光垫之间抛光的抛光促进剂的 装置。9.如申请专利范围第8项之抛光装置,其中抛 光促进剂包含氧化剂。10.如申请专利范围第7项之 抛光装置,其还包含在抛光抛光物之后使再生捕捉 金属离子而去活性化的官能基的再生剂与如申请 专利范围第1项的抛光垫相接触的官能基再生处理 装置。11.如申请专利范围第10项之抛光装置,其中 再生剂系酸性水溶液或硷性水溶液。12.如申请专 利范围第7项之抛光装置,其中金属系以铜为主的 金属。13.一种抛光金属的方法,其利用如申请专利 范围第7项的金属抛光装置藉由化学机械抛光。14. 一种抛光金属的方法,其包含的步骤为 旋转或移动抛光垫、抛光物或其二者同时保持如 申请专利范围第1项中抛光垫的条件推向含金属表 面的抛光物,以及 装填金属表面及抛光垫间的抛光促进剂。15.如申 请专利范围第14项之抛光方法,其中该抛光垫系藉 由如申请专利范围第10项的官能基再生处理装置 再生的垫子。16.如申请专利范围第13项之抛光方 法,其中该金属系以铜为主的金属。 |
