| 主权项 |
1.一种矽晶圆之制造方法,其系使用CZ法培养掺杂 氮之单晶矽,于从该单晶矽制造矽晶圆之方法,其 特征为: 将掺杂之氮浓度成为大于等于11012个/cm3且小于等 于11014个/cm3,设定培养上述单晶矽时之拉起速度V 与固液界面温度坡度G之比(V/G)使发生于所制造之 矽晶圆形成磊晶层之后所发生之BMD为能够成为既 定密度。2.如申请专利范围第1项之矽晶圆之制造 方法,其中将上述V/G,在所培养单晶矽之径向之至 少90%范围成为大于等于0.3mm2/Kmin且小于等于0.55 cm2/Kmin。3.如申请专利范围第1项之矽晶圆之制 造方法,其中上述V/G之偏差,为于所培养之单晶矽 之径向位于0.015mm2/Kmin之范围。4.如申请专利范 围第2项之矽晶圆之制造方法,其中上述V/G之偏差, 为于所培养之单晶矽之径向位于0.015mm2/Kmin之 范围。5.如申请专利范围第1项之矽晶圆之制造方 法,其中上述欲掺杂之氮浓度成为大于等于11013个 /cm3。6.如申请专利范围第2项之矽晶圆之制造方法 ,其中上述欲掺杂之氮浓度成为大于等于11013个/cm 3。7.如申请专利范围第3项之矽晶圆之制造方法, 其中上述欲掺杂之氮浓度成为大于等于11013个/cm3 。8.如申请专利范围第4项之矽晶圆之制造方法,其 中上述欲掺杂之氮浓度成为大于等于11013个/cm3。 9.一种磊晶晶圆之制造方法,其特征为:在使用申请 专利范围第1项至第8项之任一项之制造方法所制 造之矽晶圆,形成磊晶层。10.一种磊晶晶圆,其特 征为由申请专利范围第9项之制造方法所制造者。 11.一种磊晶晶圆,其特征为:在形成磊晶层之矽晶 圆,施加800℃,4小时及1000℃,16小时之热处理,属于 基板之矽晶圆之体(bulk)中发生大于等于5108个/cm3 以上且小于等于4109个/cm3之BMD之磊晶晶圆,该磊晶 晶圆之表层部之结晶缺陷为大于等于0个/cm2且小 于等于0.064个/cm2。12.如申请专利范围第11项之磊 晶晶圆,其中上述矽晶圆中之氮浓度为11013~11014 个/cm3。13.如申请专利范围第11项之磊晶晶圆,其中 上述矽晶圆表面之转位环密度为大于等于0个/cm2 且小于等于20个/cm2。14.如申请专利范围第12项之 磊晶晶圆,其中上述矽晶圆表面之转位环之密度为 大于等于0个/cm2且小于等于20个/cm2。15.申请专利 范围第11项至第14项之任一项之磊晶晶圆,其中上 述矽晶圆表面之OSF密度为大于等于0个/cm2且小于 100个/cm2。图式简单说明: 第1图系表示拉起掺杂21013个/cm3氮之CZ法矽单结晶 时之V/G之面内分布之结果图(拉起速度系成为1.1 mm /min与1.3mm/min)。 第2图系表示从以第1图之拉起条件所拉起之单晶 矽块锭制作矽镜面晶圆,对此以1125℃形成5m之磊 晶层之后,为了使BMD成长到可检测之尺寸施加800℃ ,4小时及1000℃,16小时热处理,使用OPP装置测定面内 之BMD密度之结果之结果图。 第3图系于实施例1,表示拉起掺杂31013个/cm3氮之CZ 法矽单结晶时之V/G之面内分布之结果图(拉起速度 系成为1.2mm/min与1.0mm/min)。 第4图系以第3图之拉起条件所拉起之单晶矽块锭 制作矽镜面晶圆,对此以1125℃形成5m之磊晶层之 后,为了使BMD成长到可检测之尺寸施加800℃,4小时 及1000℃,16小时热处理,使用OPP装置测定面内之BMD 密度之结果之结果图。 第5图系于单结晶拉起装置A(实施例2,5,比较例1,2),B (实施例3),C(实施例4),表示各个结晶拉起时之G之结 晶径向左面内分布之图。 第6图系表示于实施例2~5,比较例1,2,拉起掺杂氮之 CZ法单晶矽时之V/G之面内分布之图。 第7图系本发明所使用之CZ法之单结晶拉起装置之 概略说明图。 第8图系本发明所使用之MCZ法之单结晶拉起装置之 概略说明图。 第9图系本发明所使用之通常单结晶拉起装置之概 略说明图。 第10图系表示于实施例6所制作之矽晶圆之OSF密度 分布之图。 第11图系表示于实施例6所制作之磊晶晶圆之BMD密 度之面内分布之图。 |
