主权项 |
1.一种耐热树脂浆之制造方法,其特征系以聚醯亚 胺类为主成分,具有低于晶片与导线架之成形温度 高于封装材料之成形温度之玻璃转化温度之耐热 糊脂浆之制造方法,混合(I)在室温及加热乾燥时的 温度,溶解于(III)之溶剂之耐热性树脂A,(II)在室温 不溶解于(III)之溶剂,在加热乾燥时之温度会溶解 的耐热性树脂B及(III)溶剂,以250℃以下之温度加热 溶解所得之溶液经冷,使(I)之耐热性树脂A及(III) 之溶剂之溶液中析出最大粒径10m以下之(II)之耐 热性树脂B的微粒子,然后予以分散。2.如申请专利 范围第1项之耐热树脂浆之制造方法,其中耐热树 脂A为聚醯亚胺树脂或其前驱物、聚醯胺醯亚胺树 脂或其前驱物、聚醯胺树脂。3.如申请专利范围 第1项之耐热树脂浆之制造方法,其中耐热树脂B为 聚醯亚胺树脂或其前驱物、聚醯胺醯亚胺树脂或 其前驱物、聚醯胺树脂。4.如申请专利范围第1项 之耐热树脂浆之制造方法,其中耐热树脂A为聚醯 亚胺树脂或其前驱物、聚醯胺醯亚胺树脂或其前 驱物、聚醯胺树脂,而耐热树脂B为聚醯亚胺树脂 或其前驱物、聚醯胺醯亚胺树脂或其前驱物、聚 醯胺树脂。图式简单说明: 第1图为于本发明之半导体装置、半导体晶片对引 线架位于下侧时之模式图。 第2图为于本发明之半导体装置、半导体晶片对引 线架位于下侧时之模式图。 第3图为于本发明之半导体装置、半导体晶片对引 线架位于上侧时之模式图。 |