发明名称 改良液体分布之衬垫的设计及结构
摘要 一种提供改良液体分布的装置,其于基片处理时能够帮助控制电场、磁场、或一电磁场之电解液的流量和分布。一种具有一顶部表面和一底部表面的支承构件,其包含至少一个支承构件电解液管道。每一支承构件电解液管道在顶部表面和底部表面之间形成一通道,并允许电解液流经其间。一种可触及支承构件的衬垫,其包含至少一组衬垫电解液管道,并允许电解液流经其间而到达基片。每一支承构件电解液管道藉着液体分布构造和一组衬垫电解液管道相流通。一种方法,其能帮助控制电解液流量和电场、磁场、或电磁场之分布,亦提供此装置的使用方法。
申请公布号 TW575691 申请公布日期 2004.02.11
申请号 TW090103778 申请日期 2001.02.20
申请人 纽工具公司 发明人 保罗 林奎斯特;布伦特 巴索;西普里安 巫佐;霍姆扬 塔利
分类号 C25D17/00;C25F7/00 主分类号 C25D17/00
代理机构 代理人 赖经臣 台北市松山区南京东路三段三四六号一一一二室;宿希成 台北市松山区南京东路三段三四六号一一一二室
主权项 1.一种装置,其特征为在基片处理时能够帮助控制 电场、磁场、或一电磁场之电解液的流量和分布, 其包括: 一个具有一顶部表面和一底部表面的支承构件,该 支承构件包含至少一个支承构件电解液管道,每一 个支承构件电解液管道在顶部表面和该底部表面 之间形成一通道,并允许电解液流经其中;以及 一个可触及支承构件的衬垫,该衬垫包含至少一组 衬垫电解液管道,并且亦允许电解液流经其中而到 达基片; 其中,每一支承构件之电解液管道藉液体分布构造 而和一组衬垫电解液管道相通。2.如申请专利范 围第1项之装置,其中该至少一个支承构件电解液 管道是属于多元支承构件电解液管道之一。3.如 申请专利范围第2项之装置,其中该组衬垫电解液 管道属于该组多元衬垫电解液管道之一。4.如申 请专利范围第1项之装置,其中该液体分布构造包 括分布管道连接每一支承构件的电解液管道至该 一组的衬垫电解液管道。5.如申请专利范围第4项 之装置,其中该分布管道至少一部份形成于该衬垫 之内。6.如申请专利范围第4项之装置,其中该分布 管道包括一凹槽管道,其配置于该衬垫之表面而面 向该支承构件的顶部表面。7.如申请专利范围第4 项之装置,其中该分布管道至少一部份形成于该支 承构件之内。8.如申请专利范围第1项之装置,并且 进一步包括至少一元件插入于该支承构件和该衬 垫之间,其中配置着该液体的分布构造。9.如申请 专利范围第8项之装置,其中该元件为内含有许多 管道之屏式构造。10.如申请专利范围第9项之装置 ,其中该屏式构造内的管道将每一个支承构件电解 液管道连接至该一组的衬垫电解液管道。11.如申 请专利范围第8项之装置,其中没有任何支承构件 电解液管道对准任何该衬垫电解液管道。12.如申 请专利范围第1项之装置,其中没有任何支承构件 电解液管道对准任何该衬垫电解液管道。13.如申 请专利范围第4项之装置,其中每一个该分布管道 实质上水平延伸到至少一支承构件电解液管道和 该组衬垫电解液管道中之一衬垫电解液管道之间 。14.如申请专利范围第10项之装置,其中每一个该 分布管道实质上水平延伸到至少一支承构件电解 液管道和该组衬垫电解液管道中之一衬垫电解液 管道之间。15.一种制造基片的改良方法,其特征为 帮助控制电解液流量和一电场、一磁场、或一电 磁场之分布,包括: 提供至少有一支承构件电解液管道之支承构件,每 一个支承构件电解液管道在该支承构件之顶面和 底面之间形成一通道,并允许电解液流经其间; 提供一可触及支承构件之衬垫,其含至少一组衬垫 电解液管道,它亦允许电解液流经其间而到达基片 ;和 每一个支承构件之电解液管道连接一组衬垫电解 液管道。16.如申请专利范围第15项之方法,其中于 该支承构件和该衬垫之间藉插入包括液体分布构 造之元件,将每一个支承构件电解液管道连接到该 一组衬垫电解液管道。17.如申请专利范围第15项 之方法,其中于该支承构件和该衬垫之间藉提供液 体分布构造,将每一个支承构件电解液管道连接到 该一组衬垫电解液管道。18.如申请专利范围第17 项之方法,其中该液体分布构造包括含于至少一个 该支承构件和该衬垫内之多元液体分布管道。19. 如申请专利范围第18项之方法,其中该多元液体分 布管道至少一部份配置于该衬垫之中。20.如申请 专利范围第15项之方法,其中没有支承构件电解液 管道对准任何该衬垫电解液管道。21.如申请专利 范围第16项之方法,其中没有支承构件电解液管道 对准任何该衬垫电解液管道。22.如申请专利范围 第18项之方法,其中该多元液体分布管道至少一部 份配置于该支承构件之中。图式简单说明: 图1a为一基片之局部横剖面图,其上配置各种材料 层; 图1b为一传统沉积厢的简单图解,其用途为沉积传 导材料至基片上; 图1c为一局部横剖面图,其说明沉积后材料过载之 差异横贯基片的情形; 图2a为一抛光基片表面之传统化学机械抛光(CMP)装 置的简单图解; 图2b为经过传统化学机械抛光处理后之基片的局 部横剖面图; 图2c为类似图1c之局部横剖面图,但显示根据本发 明经电镀和抛光装置沉积之后,传导层有一均匀之 过载横贯这基片表面; 图3a以一例子说明整体之装置,其可根据本发明之 修改而结合支承构件、衬垫、和液体分布构造; 图3b为图3a装置之阳极组件放大视图; 图3c为阳极组件另一具体例之说明,其材料为不导 电性之无孔附着剂; 图3d为本发明装置的第一具体例侧视图,其含液体 改良分布构造; 图3e为图3d之衬垫的俯视图,其含3组衬垫管道; 图3f为图3d之衬垫的仰视图,其含衬垫内水平管道 之液体分布构造; 图3g为本发明之第二具体例的分解图,该衬垫和支 承构件之间插入一屏式液体分布构造; 图4a以第二个例子说明整体之装置,其可根据本发 明之改良而纳入支承构件、衬垫、和液体分布构 造; 图4b以第三个例子说明整体之装置,其可根据本发 明之改良而纳入支承构件、衬垫、和液体分布构 造;并且 图4c以第四个例子说明一装置,其可根据本发明之 改良而纳入支承构件、衬垫、和液体分布构造。
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