新型金属半导体场效应晶体管(MESFET)器件及其制造工艺

摘要

本发明揭示了结型场效应晶体管(JFET)和金属半导体场效应晶体管MESFET结构及制造工艺，在低电压、高电流、高频中的应用。该结构包含一个位于栅极下面可以有效减小结电容的氧化物层。在一个实施例中，栅极中的硅化物层用来减小栅极阻抗。该结构的一个特征是：由于氧化物隔离层被漂去，栅极可以薄到1000以下，可应用于高速开关。先在沟道边壁上形成一层氧化物隔离层，经过刻蚀，形成通向n型衬底的窗口。淀积多晶硅后，进行第二层氧化物隔离层和钛层的淀积。接着进行热处理，在栅极中形成钛硅合金，沟道氧化物层，以及栅极的p区。去除多余材料后，进行氧化物填充和再刻蚀。对于MESFET，其中的钛由铂代替，第二层隔离层做的薄些。然后使用金属接触。

主权项

1.结型场效应晶体管(JFET)结构，其特征在于包含：一个在n+型基底形成的漏极；一个位于上述n+型基底上的n型基底，同时在该基底中包含一个刻蚀产生的沟道；一个位于上述n型基底上的n+型层，同时在上面形成一个源极；一个位于上述沟道井中的底部氧化层；一个位于上述底部氧化层之上的硅化物层，并且形成一个栅极；一个位于上述n型基底中且和上述牺牲层相邻的p型区；以及一个位于上述沟道中和上述硅化物层上的氧化物填充层。