发明名称 利用光刻技术和汽相沉积技术制作薄膜热电偶
摘要 利用光刻技术和汽相沉积技术制作薄膜热电偶,其特征是用光刻技术和汽相沉积技术制作的NiCr和NiSi两种不同材质的微米级薄膜热电偶。根据被测物体的实际需要,设计薄膜电偶位置、大小和形状。该薄膜电偶体积小、重量轻,并且有响应时间短、使用寿命长等优点,将在微电子技术和航空航天技术中得到广泛应用。
申请公布号 CN1138308C 申请公布日期 2004.02.11
申请号 CN00135030.7 申请日期 2000.12.08
申请人 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 发明人 高劲松
分类号 H01L35/34;G01K7/02 主分类号 H01L35/34
代理机构 长春科宇专利代理有限责任公司 代理人 王立伟
主权项 1、利用光刻技术和汽相沉积技术制作薄膜热电偶的方法,其特征在于本发明的具体方法如下:第1步.根据被测温物体的具体情况设计制作热电偶的位置、形状、大小,并完成设计图纸;第2步.根据图纸设计制作母板;第3步.在准备制作热电偶的位置上利用物理气相沉积技术预镀导热绝缘层SiO2;第4步.在导热绝缘层上涂上光刻胶利用光刻技术制作掩膜;第5步.利用磁控溅射镀制热电偶的一种材料NiCr;第6步.重复第4步和第5步制作热电偶的NiSi材料并使两种材料有一个结合点,从而形成一对热电偶;第7步.利用物理气相沉积或化学汽相沉积技术镀制Al2O3金属氧化物作为保护涂层;通过上述方法即可制得几何尺寸为微米级的薄膜热电偶。
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