| 发明名称 | 一种制作白光发光二极管的方法 | ||
| 摘要 | 本发明一种制作白光发光二极管的方法，该方法包括如下制备步骤：(1)选择衬底材料，在该衬底上外延生长所需要的材料作为下一步的衬底；(2)对材料表面进行钝化；(3)在上述衬底上生长一层纳米尺寸的量子点作为诱导层；(4)然后再生长一层或多层异质量子点结构，所生长的单/多层异质量子点结构作为发光二极管的活性层；(5)在活性层上再生长一层P型材料；(6)镀一层电极。采用这种方法制作的白光二极管制作工艺简单，重复性好，发光波段和颜色可调。 | ||
| 申请公布号 | CN1474464A | 申请公布日期 | 2004.02.11 |
| 申请号 | CN02128518.7 | 申请日期 | 2002.08.09 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 陈振;韩培德;陆大成;刘祥林;王晓晖;朱勤生;王占国 |
| 分类号 | H01L33/00 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1.一种制作白光发光二极管的方法，其特征在于，该方法包括如下制备步骤：(1)选择衬底材料，在该衬底上外延生长所需要的材料作为下一步的衬底；(2)对材料表面进行钝化；(3)在上述衬底上生长一层纳米尺寸的量子点作为诱导层；(4)然后再生长一层或多层异质量子点结构，所生长的单/多层异质量子点结构作为发光二极管的活性层；(5)在活性层上再生长一层P型材料；(6)镀一层电极。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路肖庄 | ||