发明名称 一种高比饱和磁化强度Fe<SUB>3</SUB>O<SUB>4</SUB>微粒及其制备方法
摘要 本发明公开了一种高比饱和磁化强度Fe<SUB>3</SUB>O<SUB>4</SUB>微粒及其制备方法。该Fe<SUB>3</SUB>O<SUB>4</SUB>微粒比饱和磁化强度达80emu/g以上。其制备方法是将传统制备Fe<SUB>3</SUB>O<SUB>4</SUB>微粒工艺中得到的纳米Fe<SUB>3</SUB>O<SUB>4</SUB>微粒溶液,加入有机表面活性剂,将它们一同加入到纳米机内,在纳米机的巨大机械力作用下,微粒被进一步粉碎并与有机高分子化合物发生力化学反应,无机粒子达到表面修饰,阻止了纳米Fe<SUB>3</SUB>O<SUB>4</SUB>微粒之间形成桥键的倾向,得到的纳米Fe<SUB>3</SUB>O<SUB>4</SUB>微粒粒径小而且分布均匀,分散性好,稳定性高,比饱和磁化强度高,解决了Fe<SUB>3</SUB>O<SUB>4</SUB>微粒比饱和磁化强度低且不稳定的技术问题。特别适用于制备磁化液体、磁化微珠、磁化药物等。
申请公布号 CN1474417A 申请公布日期 2004.02.11
申请号 CN03125260.5 申请日期 2003.08.13
申请人 武汉理工大学 发明人 程海斌;袁润章
分类号 H01F1/11;H01F41/02;C01G49/06 主分类号 H01F1/11
代理机构 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 代理人 张安国
主权项 1、一种高比饱和磁化强度Fe3O4微粒,其特征是比饱和磁化强度≥80emu/g,平均粒径为5-1000nm。
地址 430070湖北省武汉市武昌区珞狮路122号