硅中浅槽隔离层的形成方法

摘要

一种硅晶圆中浅隔离槽区的形成方法，该方法可消除晶圆内长范围的滑移位错，并减少流经隔离区的电流漏泄。在一硅晶圆(11)中以与晶圆的晶面(111)成45°角形成多条长形浅槽(17)。这可以这样实现：在槽形成之前使晶圆的主切面移至晶面(100)，这就使诸长形槽的底边与多个晶面(111)相交，这样，应力就不会沿任何单一晶面(111)传播。然后，用诸如氧化物的绝缘材料填充各槽(17)。

主权项

1.一种在硅晶圆中形成浅隔离槽的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：使一晶圆切面的方向以硅晶圆一晶面(100)的方向对齐；在晶圆中形成一槽，所述槽具有一对相对的壁和一底面，所述底面与所述两壁相交形成一对接合边，该对接合边的每一端具有角区，其相应于其中一所述壁的垂直边；以及用绝缘材料填充所述槽。