发明名称 IN-SITU FORMATION OF METAL INSULATOR METAL CAPACITORS CROSS REFERENCE TO RELATED APPLICATIONS
摘要
申请公布号 AU2003259151(A1) 申请公布日期 2004.02.09
申请号 AU20030259151 申请日期 2003.07.18
申请人 ASML US, INC. 发明人 SENZAKI YOSHIHIDE
分类号 H01L27/04;C23C16/30;C23C16/34;C23C16/40;C23C16/455;H01L21/02;H01L21/285;H01L21/314;H01L21/316;H01L21/822 主分类号 H01L27/04
代理机构 代理人
主权项
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