发明名称 Verfahren zum Vermessen des Intensitätsprofils eines Elektronenstrahls, insbesondere eines Strahls eines Elektronenstrahlbearbeitungsgeräts, und/oder zum Vermessen einer Optik für einen Elektronenstrahl und/oder zum Justieren einer Optik für einen Elektronenstrahl, Meßstruktur für ein solches Verfahren und Elektronenstrahlbearbeitungsgerät
摘要 Zur Messung des Intensitätsprofils eines Elektronenstrahls wird der Elektronenstrahl (10) auf eine Meßstruktur (16) geleitet, die Stellen (20, 22) mit unterschiedlichen Rückstreueigenschaften aufweist, und Rückstreuelektronen (24), die bei einer Abrasterung der Meßstruktur (16) durch den Elektronenstrahl (10) mittels einer Ablenkeinheit (14) entstehen, werden von einem Sensorring (26) gemessen. Die Meßstruktur (16) ist vorzugsweise in ein Elektronenstrahlschweißgerät ein- und ausbaubar und besteht aus einer Graphitplatte (18), von der eine Wolframnadel (22) senkrecht wegsteht.
申请公布号 DE10232230(A1) 申请公布日期 2004.02.05
申请号 DE20021032230 申请日期 2002.07.17
申请人 PRO-BEAM AG & CO. KGAA 发明人 LOEWER, THORSTEN
分类号 B23K15/00;H01J37/304;H01J37/315;(IPC1-7):G01T1/29;H01J37/244;H01J37/305 主分类号 B23K15/00
代理机构 代理人
主权项
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